近来,我们南山电子收到很多询问是关于
英飞凌MOS管替换和
英飞凌IGBT替换的,例如:你们国产新洁能MOS管的哪一款可以替换
英飞凌MOS管?英飞凌coolmos可以用什么替换?
英飞凌IGBT可以用国产IGBT替换吗?下面就为大家一一解答:其实很多款
国产MOS管都可以按照参数替换
英飞凌MOS管,主要根据电压,电流等参数让工程师判断下即可,不可否认的是
英飞凌MOS管和
英飞凌IGBT确实在技术方面比国产好一些,但是也不要盲目只相信进口,例如新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术,其部分产品的参数性能与送样表现,可以与
英飞凌MOS管相差无几。而且近年来MOSFET国产替代的需求比较明显,国产替代已经进入了高速增长期,越来越多的中小型客户已经完成了高比例的国产化,在工业领域以及部分细分领域,国产化率已经达到50%以上。
曾有客户问英飞凌coolmos可以用什么替换?
新洁能的超结功率MOSFET就可以替换,举个例子,在很早前,新洁能就已在锂电池充电器中做了实验,输出为48V,2A的充电器。效率可达90%。基本参数为650V,20A,Rdson160毫欧姆。可以使用S-J功率MOS管替代
英飞凌MOS管,新洁能的超结MOSFET系列目前推出的产品包含500V,600V,650V,700V,800V普通系列,以及针对全桥,板桥,LLC谐振开关等应用,优化体
二极管特性的500V,650VTF系列;同时为您提供TO-263,TO-252,TO-220,TO-220F,TO-247在内的多款封装选择。
那么
英飞凌IGBT可以用国产IGBT替换吗?当然是可以的,相对来说,
英飞凌IGBT应用范围更广,随着以轨道交通为代表的新兴市场和新能源车行业的兴起,将进一步为IGBT模块等功率器件创造很大的增长空间。而且充电桩、变流器、逆变流器等配套设施,尤其需要IGBT作为控制单元。在经过贸易战的洗礼后,越来越多的中下游厂商主动开始尝试接受
国产IGBT,这就给了国产IGBT模块更多的试错机会,从而促进了国产IGBT的技术迭代,让国产IGBT进入了一个良性的迭代循环的过程。
新洁能IGBT基于沟槽电场截止型IGBT技术(Trench Field Stop)理论,进一步优化了器件结构,采用了先进超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process),大幅提高了器件的功率密度,显著改善了动态、静态性能。相比上一代新洁能IGBT,新一代(Trench FS II)新洁能IGBT模块面积更小,芯片厚度更薄;导通压降(VCEsat)降低约0.3V,开关损耗降低20%以上;器件可耐工作温度更高,使用寿命更长;且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性;综合性能达到
英飞凌IGBT的一般水平。
其实很多企业老板与多数工程的关注点不同,造成了多数企业老板有节省成本的意向,但落地时工程师不能积极配合的局面。很多工程由于对新品牌的不熟悉度和不信任度,不愿意轻易增加自己工作量的同时还去冒险做替换,
英飞凌MOS管和
英飞凌IGBT虽然好,但是出于成本目的,为何不换一款国产性能相差无几,价格却有优势的产品呢?说实话,新洁能MOS管也算老牌国产客户认知度较高的品牌,而我们南山电子老客户们都知道,风华阻容感十七年老代理,长电长晶二
三极管MOS管代理商,爱普生
晶振核心代理商,2020年为了满足更多客户的需求,也为了扩宽我们的产品线,我们与新洁能深度合作,成为新洁能MOS管经销商,为
英飞凌MOS管和
英飞凌IGBT替换选型方面提供技术支持。