大家好,今天来给大家介绍下圆形
瓷片电容的分类和规格参数,
瓷片电容可分为低压低功率瓷片电容和高压高功率瓷片电容,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。
I型瓷片电容(CC型)特点是体积小, 损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。
II型瓷片电容(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。
CC1型圆片高频瓷片电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿,耦合,隔直使用。损耗:《0.025绝缘
电阻:10000mohm 试验电压:200v
允许偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)温度系数:-150--- -1000PPM/C环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96%
CT1型圆形低频瓷片电容:
环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差:101—472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)
CC01圆形瓷片电容:
环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)
温度系数:1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
56—180P –750(+-250)PPM
180—390P –1300(+-250)PPM
430—820P –3300(+-500)PPM
CT01圆形瓷片电容:
环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻:1000mohm
允差:+80 -20%容量:1000-47000p
工作电压:63v 试验电压:200v
CC4D独石瓷片电容
环境温度:-55—85C 相对湿度:+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量:100-100000p工作电压:40v 试验电压:120v
CT4D独石瓷片电容
环境温度:-55—85C 相对湿度:+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量:0.033-2.2uf工作电压:40v-100v 试验电压:3UW允差:+80-20%
CC2,CT2管形瓷片电容
与片形瓷片电容相比,机械强度高,用作旁路时内电极屏蔽性能好,用在高频电阻杂散耦合好,缺点是固有谐振频率低,制造工艺复杂,产量低。
CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压:480v
使用条件:-55—85c相对湿度:40C时达98%
CC10 超高频瓷片电容
可用于《500MHZ下,环境温度:-55—85C 相对湿度:+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度:加速度10g 冲击:加速度25g 离心:加速度15g
允差:k容量:1-47p工作电压:500v
CC11,CT11园片无引线瓷片电容
该电容特为高频头设计,频率特性好。
CC11直流电压:250V标称容量:3—39P损耗:《0.0015 绝缘》10000mohm
CT11直流电压:160V标称容量:240—1500 绝缘》2500mohm
CT82,CC82高压高功率瓷片电容:
环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达98%大气 压力40000PA 震动:加速度15g 冲击:加速度15g额定电压:1—4kv 试验电压:2.5—8kv允差:K,M
CC3,CCTD型叠片瓷片电容器CCTF型方形叠片瓷片电容
CC3损耗《0.0015 容量:33-1000P 允差:K,M 工作电压:100V
CCTD损耗《0.035 容量:470-33000P 允差:+80-20% 工作电压:250V
CCTF损耗《0.04 容量:10000-47000P 允差:+80-20% 工作电压:160V
CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷片电容
该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。
CC52E-1C 容量:2-33P工作电压:63V 绝缘电阻:10000mohm损耗:《0.0015
CC53-2C 容量:1000-1500P工作电压:160V 绝缘电阻:1000mohm损耗《0.035
CT87鼓形高压低频瓷片电容,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量:470P工作电压:10KV 绝缘电阻:10000mohm
CCG81型板形高功率瓷片电容:使用于大功率高频电子设备中。容量:1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率:100KVA可达电流:25A 可达重量:1.3KG
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