温度与光耦特性的变化

　　任何半导体设备的动作依靠其模型温度，这就是为什么电子参数要按照特定温度给出。为维持光耦特性，避免失效，通过管理芯片和周围空气之间的热传递限制温度。不应该超过设计规定的连接温度，即使光耦也许没有被归入“功率器件”的种类。这么做有以下两个原因：

　　首先，全面增加光耦长期可靠性，因为任何固态设备的工作温度都与其长期可靠性成反比。因此应该是器件工作在最低的实际工作温度下。其次，某些参数与设备的问题紧密相连，这些随温度而变得参数包括漏电流、触发电流、CTR、骤回电压和电阻。

　　进行热计算的三个主要方法是通过使用器件降额值、随温度变化功率图或温度模型。最简单的方法是使用热降额值（假定用功率/度）。然而，制造商非常保守的得到这个数字，所以这个方法不能提供最精确的结果。

　　随温度变化功率图与第一种方法非常相似，但是用简单的数字代替，依照随温度变化功率图（图1）。并且，这是一个非常保守的方法，应该非常顾及可靠的设计，但是它也不能提供最精确的结果。

　　进行热计算更全面的方法是使用热模型。一些光耦的热模型已经建立， 用于大多数简单精确的计算。