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新洁能NCEP068N10G：高性能功率MOSFET的卓越之选
在电子技术飞速发展的今天，功率MOSFET作为核心元件之一，广泛应用于各类电源管理、电机驱动和功率转换系统中。新洁能NCEP068N10G：高性能功率MOSFET的卓越之选，凭借其优秀性能和广泛的应用场景，成为了众多工程师和设计人员的首选。
NCEP068N10G是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用先进的屏蔽栅沟槽技术制造。
产品优势
高效能表现
NCEP068N10G的低导通电阻和低栅极电荷特性，使其在开关过程中表现出色。低导通电阻减少了导电时的能量损耗，而低栅极电荷则降低了开关损耗，两者的结合显著提升了器件的能效。在高频开关应用中，这种特性尤为突出，能够有效降低系统的发热，提高整体效率。
高可靠性
该产品的工作温度范围为-55℃~+150℃，能够在极端温度条件下稳定工作，适用于各种恶劣环境。此外，其耐压100V的特性，使其在面对电压波动时具有更强的抗干扰能力，确保系统的可靠运行。
紧凑设计
采用DFN-8封装，体积小巧，散热性能良好。这种封装形式不仅节省了电路板空间，还便于散热设计，特别适合于对空间和散热要求较高的应用场景，如便携式电子设备和高密度电源模块。
优化的静态与动态性能
与新洁能上一代SGT-I系列产品相比，SGT-II系列的特征导通电阻降低了20%，FOM值也进一步降低。这意味着在相同条件下，NCEP068N10G能够提供更高的系统效率和更低的能耗。
高性价比
NCEP068N10G在性能优化的同时，保持了较高的性价比。相比一些国际品牌的同类产品，其价格更具竞争力，能够为设计人员在成本控制和性能提升之间提供更优的选择。
技术参数
该产品具有以下关键参数：
漏源电压：100V，能够承受较高的电压，适用于多种高压应用场景。
连续漏极电流：85A，在高电流负载下表现出色，确保稳定的电力传输。
导通电阻：6.1mΩ（典型值，@VGS=10V），极低的导通电阻显著降低了功率损耗，提高了系统效率。
封装形式：DFN-8（4.9x5.8），紧凑的封装设计使其在有限的空间内实现高性能，特别适合对体积有严格要求的设备。
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 型号 | NCEP068N10G |
| 品牌 | 新洁能（NCE） |
| 封装形式 | DFN-8（4.9x5.8） |
| FET 类型 | N 沟道功率 MOSFET |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id） | 85A |
| 导通电阻（RDS(on)） | 6.1mΩ（典型值，@VGS=10V） |
| 栅源电压（Vgs） | ±20V |
| 栅极电荷（Qg） | 60nC |
| 输出电容（Coss） | 335pF |
| 上升时间（tr） | 11ns |
| 最大耗散功率（Pd） | 105W |
| 工作温度范围 | -55℃~+150℃ |
应用场景
电源管理
在开关电源、DC-DC转换器和逆变器中，NCEP068N10G能够提供高效、稳定的电力转换。其低导通电阻和快速开关特性，有助于提高电源的转换效率，降低能耗，同时减少发热，延长设备的使用寿命。
电机驱动
对于电机驱动应用，如电动汽车、工业电机和家用电器中的电机控制，NCEP068N10G能够提供强大的电流驱动能力。其高耐压和低导通电阻特性，确保电机在高负载和高电压条件下稳定运行，同时减少能量损耗，提高系统的整体效率。
通信设备
在基站电源、通信服务器和网络交换设备中，NCEP068N10G的高频开关性能和高可靠性，使其能够满足通信设备对电源效率和稳定性的严格要求。其紧凑的封装设计也便于在有限的空间内实现高性能的电源管理。
新洁能NCEP068N10G是一款集高效能、高可靠性和紧凑设计于一体的高性能N沟道功率MOSFET。无论是在电源管理、电机驱动还是通信设备中，它都能提供卓越的性能和可靠的保障。选择NCEP068N10G，就是选择高效、稳定和未来。
