场效应管参数与使用注意事项

场效应管的选型参数
1 I_DSS：饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U _GS=0时的漏源电流。
2 U_P：夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3 U_T：开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4 g_M：跨导。是表示栅源电压U _GS — 对漏极电流I _D的控制能力，即漏极电流I _D变化量与栅源电压U_GS变化量的比值。g_M 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5 BU_DS：漏源击穿电压。是指栅源电压U_GS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
6 P_DSM：最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于P_DSM并留有一定余量。
7 I_DSM：最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过I_DSM
 
场效应管使用注意事项
1 MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
2 取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
3 焊接用的电烙铁必须良好接地。
4 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。
5 MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
6 电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
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