II类介质的温度系数是以在室温基准值上变化的百分数来表示的,其变化量较线性介质大了好几个数量级。
B.贴片电容介质的分类
I类介质由于其采用非铁电配方,以TiO2为主要成分(介电常数小于150), 因此具有最稳定的性能。通过添加少量其他(铁电体)氧化物,如CaTiOs或SrTi〇3,构成 "扩展型"温度补偿陶瓷则可表现出近似线性的温度系数,介电常数增加至500。两种类型 的介质都适用于电路中对稳定性要求很高的电容器,即介电常数无老化或老化可忽略不计, 低损耗(DF<0.001,或对于扩展型T.C.介质DF<0.002),容量或介质损耗随电压或频率的变 化为零或可忽略不计以及线性温度特性不超出规定的公差。
用“字母-数字-字母”这种代码形式来表示I类陶瓷温度系数的方法已经被广泛应用, 并被美国电子工业协会(EIA)标准198所采用。 |
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片式电容器中最常用的I类介质是C0G,温度系数为0 ppm/°C±30 ppm/°C |
MIL标准中的NPO (负一正一零),其具有很平的温度系数。
实际测量的温度系数并非符合完美的线性关系,但只要其数值不超出E1A代码最后一个 字母所规定的公差范围就可以接受:
举例:
C0G -0 ppm/°C±30 ppm/C (N220)
S2L -330 ppm/C±500 ppm/C (N330)
U2J -750 ppm/°C 土 120 ppm/C (N750)
M7G -100 ppm/C±30 ppm/C (P100)
II类介质由节H中所介绍的铁电体所组成。这类介质的介电常数比I类介质高得多,但 其性能随温度、电压、频率和时间变化的稳定性较差。由于铁电陶瓷性能的多样化,有必要 根据温度特性将此类介质分为两个亚类。
“稳定的中K” II类瓷,以25C为基准,在-55C到125C的范围内最大温度系数为土 15%。此种介质的介电常数在600到4000之间,与EIA中X7R的性质相符。
“高K” II类瓷,温度系数超出X7R的水平。这种高K介质的介电常数高达 4000〜18000,但温度系数曲线非常陡峭,原因在于居里点移动到室温附近,出现了最大的 介电常数。
a |
b |
c |
d |
e |
f |
下限工作温度℃ |
a列的代码 |
上限工作温度℃ |
c列的代码 |
最大容量变化率 ±%AC |
e列的代码 |
+10 |
Z |
+45 |
2 |
1.0 |
G |
-30 |
Y |
+65 |
4 |
1.5 |
H |
-55 |
X |
+85 |
5 |
2.2 |
J |
|
|
+105 |
6 |
3.3 |
K |
|
|
+125 |
7 |
4.7 |
L |
|
|
+150 |
8 |
7.5 |
M |
|
|
|
|
10.0 |
P |
|
|
|
|
15.0 |
R |
|
|
|
|
22.0 |
S |
|
|
|
|
+22-33 |
T |
|
|
|
|
+22-56 |
U |
|
|
|
|
+22-82 |
V |
用于片式电容器制造的最普遍的中K材料为X7R(-55C到125C内A C最大值土 15%)。 而对于高K类材料,Z5U (+10C到+85C内A C最大值+22%〜-56%)和Y5V (-30C到+85℃^A C最大值+22%〜-82%)最为常用。(本文链接:http://www.nscn.com.cn/tech/2689.html)
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