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新洁能国产N沟道沟槽型MOSFET NCE3050K选型资料/ 应用分析/MOS管最新价格

发布时间：2024-11-22 品牌：新洁能(NCE) 浏览量：305

N沟道沟槽型MOSFET是一种常见的功率MOSFET，通过采用先进的沟槽技术，实现了更低的导通损耗、更高的开关速度和更大的功率密度。之前的文章 - 新洁能12-200V N沟道沟槽型场效应管（N-Channel Trench MOSFET）系列产品介绍具体阐述了此类型MOSFET，今天南山电子给大家介绍该系列的一款新洁能国产N沟道沟槽型MOSFET NCE3050K，广泛应用于电源开关、硬开关和高频电路以及不间断电源（UPS）等领域，具有非常好的使用稳定性。

NCE3050K主要参数:

漏源电压（Vds）：30V
导通电阻（RDS（on））：＜11mΩ @ VGS=10V；＜16mΩ @ VGS=4.5V
连续漏极电流（Id）：50A
脉冲漏极电流（IDM）：200A
功率（Pd）：60W
工作温度范围：-55℃~+175℃
封装形式：TO-252

NCE3050K特点：

高密度单元设计，实现超低Rdson：NCE3050K通过高密度单元设计实现了超低的导通电阻（Rdson），这使得其在电力开关应用中表现出色。
完整的雪崩电压和电流特性分析：NCE3050K具有完全表征的雪崩电压和电流特性，这意味着它能够承受瞬间的高电压冲击，无需额外的保护电路。
良好的稳定性和均匀性，具有高EAS：NCE3050K展示了良好的稳定性和均匀性，并且具有较高的能量吸收能力（EAS），这使其在高频和硬开关电路中表现优异。
优秀的封装设计，散热性能好：NCE3050K采用TO-252封装，具有底部散热片设计，能够有效地将器件产生的热量传导到散热面上，从而提高散热效率，保证了其在高温环境下的可靠性和稳定性。

NCE3050K应用：

电源开关应用：由于NCE3050K具有非常稳定、可靠、高性能的产品特性，具有驱动电路简单、驱动功率小、开关速度快、工作频率高等优点，非常适合用于各种功率开关电路中，也可以在电路中起到电压电流调节作用。
硬开关和高频电路：NCE3050K具有较低的导通电阻及低栅极电荷，这表明其在高频工作条件下具有较低的开关损耗，优异的开关性能使其在硬开关和高频电路中表现出色。
不间断电源：NCE3050K的稳定性和均匀性使其成为不间断电源系统中的理想选择。其高密度单元设计和优秀的散热性能也使其在高电流和高电压环境下表现优异，这对于不间断电源系统中的关键组件来说是非常重要的。此外，NCE3050K还经过了100%的UIS测试，确保了其在实际应用中的可靠性和稳定性。