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新洁能电动汽车电控中的应用MOS和IC型号推荐
在电动传动系统中，逆变器控制电机。这是电动汽车中的一个关键部分，就像燃油车辆的发动机管理系统(EMS)一样。无论电机是同步的、异步的还是无刷直流的，逆变器的工作方式都是相似的，由集成VCU控制，其设计目的是最大限度地减少开关损耗，提高热效率。逆变器不仅驱动电机，还能回收动能，并将能量反馈给电池。因此，逆变器的工作效率直接影响到整车运行效率。2022-11-22 -
国巨电容器CC0402KRX7R7BB104中文资料-免费样品--最新报价-YAGEO电容代理
CC0402KRX7R7BB104是一款由YAGEO（国巨）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该电容器采用0402封装，具有较小的体积，便于在电子设备中实现高密度贴装，广泛应用于各种电子设备中。无论是消费电子、通信设备、工业控制还是汽车电子等领域，其都能发挥其出色的电气性能和稳定的可靠性，为电路的稳定运行提供有力保障。此外，国巨电容器CC0402KRX7R7BB104还具有较长的使用寿命和较高的质量等级，如AEC-Q200等级，适用于汽车电子等高质量要求的场合。2024-12-05 -
新洁能车规级 MOSFET系列产品中文资料/Auto MOS管选型推荐/样品申请
南山电子代理品牌新洁能致力于为客户提供“零”缺陷的汽车功率器件产品，其提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOSFET器件电压覆盖范围为-150V至1050V，车规级IGBT器件电压覆盖范围为600V至1200V。2024-12-05 -
新洁能12-300V NP MOSFET系列产品介绍/免费样品/选型支持-新洁能代理
新洁能提供的12V~300V NP MOSFET系列产品，采用了先进的工艺制造技术和优化的器件结构，结合了N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的优点，具有出色的电气性能和广泛的应用领域。南山电子是新洁能公司授权代理商，仓库现货超过200k，可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务，以下是新洁能12-300V NP MOSFET系列产品介绍, 如需选型支持可以联系南山半导体官方网站在线客服。2024-12-04 -
新洁能500-1050V N沟道超结 MOSFET系列产品介绍/选型资料/最新价格
超结技术是一种创新的半导体结构，通过优化电荷分布来降低导通电阻，同时保持高击穿电压，新洁能是国内率先掌握超结理论技术并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一。以下是新洁能代理商南山电子整理的新洁能500-1050V N沟道超结MOSFET系列产品介绍，如需选型支持和小批量样品请联系我们18251882769（唐经理）或者联系网站客服。2024-12-03 -
新洁能1500-1700V N沟道功率 MOSFET系列产品选型资料/免费样品/价格
南山电子代理品<a href="http://www.nscn.com.cn/NCE/">牌无锡新洁能股份有限公司</a>（以下简称“新洁能”）推出的<strong>新洁能1500V和1700V N沟道功率MOSFET系列产品</strong>，专为高电压、大功率应用而设计。该系列产品不仅具有出色的电气性能，还具备高可靠性和长寿命的特点，适用于各种恶劣工况下的应用。 南山电子为新洁能授权代理商/经销商，可以为您快速提供小批量<strong>新洁能1500-1700V N沟道功率 MOSFET系列产品</s2024-12-02 -
新洁能12-150V P沟道MOSFET系列产品介绍 - 新洁能（NCE）mos管代理
新洁能（NCE）是一家国内领先的功率半导体企业，专注于MOSFET和IGBT等产品的研发和生产。公司产品线非常丰富，涵盖了从低电压到高电压的各类MOSFET产品，包括N沟道、P沟道以及N+P沟道MOSFET。以下是新洁能授权代理商/经销商-南山电子整理的新洁能12-150V P沟道MOSFET系列产品介绍, 并为该系列型号快速提供小批量样品和最新价格报价，欢迎通过南山电子官网在线咨询或致电400-888-5058。2024-11-30 -
新洁能12-300V N沟道MOSFET系列产品介绍 /选型资料/订货价格
南山电子代理品牌新洁能（NCE）是国内MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）品类最齐全且产品技术领先的公司，公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。以下是新洁能12-300V N沟道MOSFET系列产品介绍，如需选型支持和小批量样品，可以联系南山半导体官方网站在线客服索取。2024-11-29 -
适用于DC-DC转换器的MOS管：新洁能NCEP60T18场效应管
对于DC-DC转换器的效率提升，需要有低电压、大电流的MOS管来优化代换。同步整流技术通过使用具有低导通电阻的功率MOSFET来取代传统的整流二极管，从而显著降低整流损耗，提升产品效率。性能优秀的场效应管能够提升DC-DC转换器的效率进而提升产品质量，今天给大家推荐一款适用于DC-DC转换器的MOS管：新洁能NCEP60T18场效应管，其良好的制作工艺与参数性能能给DC-DC转换器做更好的适配，保障产品的可靠性。2024-11-28 -
新洁能 P沟道功率MOS管NCE60P82AK，常用于负载开关电路
功率MOSFET是一种具有优良开关特性的器件，其导通时的导通电阻RDS(ON)很小，关断时漏电流IDSS很小。此外，它的耐压范围很宽，从几十V到几百V，漏极电源范围宽，从几A到几十A，因此非常适合作负载开关。今天给大家推荐一款南山电子代理品牌新洁能（NCE）推出的新洁能P沟道功率MOS管NCE60P82AK，常用于负载开关电路，它能够快速切换电路的通断状态，适用于需要频繁开关等场合。2024-11-27 -
应用于高侧开关的P沟道MOSFET：新洁能 NCE60P25K MOS管规格参数/免费样品/最新价格
近年来随着MOS工艺的升级，PMOS的参数还是较NMOS差，但导通内阻<10m欧的PMOS型号越来越多了，今天就给大家推荐一款应用于高侧开关的P沟道MOSFET：新洁能 NCE60P25K MOS管，作为PMOS管，其不用电荷泵驱动，简单方便，还降低成本。2024-11-26 -
国产60V功率MOSFET NCE6080A中文资料/免费样品/NCE6080A现货价格
南山电子代理的NCE6080A是由中国功率器件上市公司新洁能（NCE）推出的一款N沟道通用型60V功率MOSFET，具备110W的功率承载能力，适用于最大60V的电压和高达80A的电流。采用TO-220-3L封装，具有出色的散热性和可靠性，广泛应用于电子电路设计中。南山电子仓库现货超过200k，可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务，国产60V功率MOSFET NCE6080A最新现货价格请咨询南山电子官方网站在线客服。2024-11-25 -
新洁能N沟道增强型功率MOSFET NCE0115K：开关电源中的理想选择
开关电源是MOS管的一个非常重要的应用，这是因为MOS管开关速度快，通流能力强，非常适合在低压，大电流，中等功率（几百瓦）以下的应用，能有效提升电源转换效率。而开关电源的性能与效率在很大程度上依赖于MOS管的选择与应用，所以选择一款优质的MOS管是至关重要的，这里推荐新洁能N沟道增强型功率MOSFET NCE0115K：开关电源中的理想选择。2024-11-25 -
新洁能国产MOS管NCE0106Z：UPS不间断电源的解决方案
UPS不间断电源是一种将蓄电池与主机相连接，将直流电转换成市电的系统设备，可以提供稳定、可靠、高效的电力保障。MOS管作为UPS不间断电源的重要应用部件，必然需要使用优质的MOS管才能让UPS不间断电源发挥最大的作用。但在国产化的路径中，可以选择新洁能国产MOS管NCE0106Z：UPS不间断电源的解决方案。2024-11-23 -
新洁能国产N沟道沟槽型MOSFET NCE3050K选型资料/ 应用分析/MOS管最新价格
N沟道沟槽型MOSFET是一种常见的功率MOSFET，通过采用先进的沟槽技术，实现了更低的导通损耗、更高的开关速度和更大的功率密度。之前的文章 - 新洁能12-200V N沟道沟槽型场效应管（N-Channel Trench MOSFET）系列产品介绍具体阐述了此类型MOSFET，今天南山电子给大家介绍该系列的一款新洁能国产N沟道沟槽型MOSFET NCE3050K，广泛应用于电源开关、硬开关和高频电路以及不间断电源（UPS）等领域，具有非常好的使用稳定性。2024-11-22 -
新洁能N沟道功率MOSFET NCE4009S，满足充电器、适配器等需求
随着手机快充技术迅速发展，功率器件MOSFET，作为充电器、适配器等智能终端配套产品核心元器件之一，同样也迎来了发展契机。今天给大家推荐一款新洁能N沟道功率MOSFET NCE4009S，满足充电器、适配器等需求。这款新洁能品牌的N沟道MOSFET，工作电压为40V，连续漏极电流9A。具有较低的导通电阻，封装采用SOP8，适用于紧凑空间的电路设计，广泛应用于高性能电源和功率管理系统，可提供可靠的电流开关控制。2024-11-21 -
新洁能N沟道600-750V系列IGBT产品介绍/型号推荐/最新IGBT价格
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至750V的N沟道IGBT器件。在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好稳定的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。广泛应用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及所有的硬开关。N沟道600-750V系列IGBT产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。2024-11-20 -
新洁能N沟道和P沟道双芯场效应管（N and P-Channel Dual MOSFET）系列产品介绍
新洁能提供的P型20V~60V 和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结构，为设计人员简化电路，提高系统功率密度提供新的选项。该双芯功率MOSFET产品主要采用Trench以及SGT技术，设计人员可以根据实际应用需求选择。该类产品广泛应用于电池管理、电机驱动以及负载开关等。2024-11-19 -
新洁能N+P沟道互补式场效应管（Complementary MOSFET）系列产品介绍
新洁能N+P沟道互补式场效应管（Complementary MOSFET）这种类型的场效应管同时使用N沟道和P沟道场效应管，以互补方式连接，以在某些应用中实现特定优势。N和P沟道场效应管的组合提供了更平衡的性能，并能够创建不同类型的电路，例如推挽放大器和CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑门。该类产品广泛应用于DC-DC转换、电机控制以及电池管理系统等。Complementary MOSFET系列产品封装外形包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-2522024-11-18 -
新洁能600-650V N沟道第三代超结TF场效应管（N-Channel SJ-III TF MOSFET）系列产品介绍
新洁能研发团队持续创新，在原有SJ MOSFET（超结MOSFET）技术的基础上，通过进一步技术升级，推出了新洁能600-650V N沟道第三代超结TF场效应管（N-Channel SJ-III TF MOSFET）系列产品。为了满足全桥、半桥、LLC谐振开关应用中效率及EMI需求，基于新洁能在SJ-III技术基础上，在保证良好的导通电阻、极低栅电荷以及出色的开关速度前提下，增强了超结产品的体二极管反向恢复特性，综合优化了超结产品由于体二极管反向恢复带来的损耗以及可靠性问题。2024-11-16
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