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NCE3008M新洁能增强型功率MOSFET:电池保护与开关应用的理想选择
在现代电子设备中,MOS 管作为核心的功率半导体器件,其性能直接影响到电路的效率与稳定性。新洁能(NCE)推出的NCE3008M增强型功率MOSFET,凭借其先进的沟槽技术、出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及低至 2.5V 的栅极电压工作能力,成为众多电池保护与开关应用的理想选择。
NCE3008M性能特点:
1、先进的沟槽技术与卓越性能
NCE3008M 采用先进的沟槽技术,通过在半导体材料中形成深槽结构,显著提高了芯片的抗干扰能力和稳定性。这种技术使得器件在高功率和电流处理能力方面表现出色,同时降低了导通电阻和栅极电荷,从而提高了整体效率。
2、优异的电气性能
在关键参数方面,NCE3008M 的漏源电压(VDS)为 30V,连续漏极电流(ID)为 8A。其导通电阻(RDS(ON))在不同栅极电压下表现出色:在 VGS = 10V 时,RDS(ON) < 22.5mΩ;在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) < 32mΩ。这种低导通电阻特性使得 NCE3008M 在高效率电源管理应用中表现出色。
3、高功率与电流处理能力
NCE3008M 具备高功率和电流处理能力,能够满足电池保护、DC/DC 转换器等应用中对功率和电流的严格要求。其最大耗散功率(Pd)为 3.5W,能够承受较高的功率负载,同时保持稳定的性能表现。
4、环保与封装优势
NCE3008M 符合无铅产品要求,采用环保材料制造,符合现代电子设备对环保的严格要求。其表面贴装封装(SOT-89-3),具有体积小、散热性能好、易于安装等特点,适合紧凑型设计,能够有效节省电路板空间。
NCE3008M应用场景:
- 电池开关:在电池管理系统中,NCE3008M 可以实现高效的电池保护,防止过充、过放和短路等情况,延长电池寿命。
- DC/DC 转换器:在电源转换应用中,NCE3008M 的低导通电阻和快速开关特性能够显著提高转换效率,降低能量损耗。
NCE3008M采购信息:
- 封装:SOT-89-3L
- 包装方式:Ø180mm编带包装
- 编带宽度:12mm
- 最小包装量:5k/盘
新洁能 NCE3008M MOS 管凭借其先进的沟槽技术、低导通电阻、低栅极电荷以及低栅极电压工作能力,成为电池保护和开关应用中的理想选择。其高功率和电流处理能力、环保特性以及紧凑的封装形式,使其在现代电子设备中展现出卓越的性能和广泛的应用前景。
南山电子是新洁能公司授权代理商,欢迎咨询选购NCE3008M MOS管。如需产品详细的规格书,请联系网站客服。