解决方案

新洁能NCE40H21：高性能N沟道增强型功率MOSFET

发布时间：2025-05-07 品牌：新洁能(NCE) 浏览量：111

新洁能NCE40H21是由无锡NCE功率有限公司生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，它采用了先进的沟槽技术与设计，能够提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场合。

基本特性

电气参数：NCE40H21的漏源电压（VDS）为40V，连续漏极电流（ID）可达210A。在VGS=10V时，其导通电阻（RDS(ON)）小于2.3mΩ；在VGS=4.5V时，RDS(ON)小于3.2mΩ。此外，它还具有高密度单元设计，实现了超低的RDS(ON)，并且具备完全表征的雪崩电压和电流，稳定性好，均匀性高，具有高EAS（雪崩能量）能力。

封装与散热：该产品采用TO2203L封装，这种封装形式有利于良好的散热性能，能够满足高功率应用的需求。

应用领域

NCE40H21适用于多种应用场景，包括但不限于：

功率开关应用：可用于需要高效功率转换和控制的电路中，例如电源管理模块、电机驱动等，能够快速、准确地控制功率的通断，提高系统的能效和可靠性。

硬开关和高频电路：在高频开关电源、逆变器等高频电路中表现出色，其低栅极电荷和快速的开关特性有助于减少开关损耗，提高电路的转换效率，同时能够承受较高的开关频率，保证电路的稳定运行。

不间断电源（UPS）：在UPS系统中，NCE40H21可以作为关键的功率器件，确保在市电中断时能够快速切换到备用电源，并且在持续供电过程中保持稳定的输出功率，为设备提供可靠的电力保障。

电气特性与动态性能

导通特性：在VGS=10V、ID=20A的条件下，其导通电阻（RDS(ON)）的典型值为1.9mΩ，最大值为2.3mΩ；在VGS=4.5V、ID=20A时，RDS(ON)的典型值为2.45mΩ，最大值为3.2mΩ。这表明该MOSFET在不同栅极电压下都能保持较低的导通电阻，从而降低导通损耗，提高电路效率。

动态特性：输入电容（Clss）为8300pF，输出电容（Coss）为1145pF，反向传输电容（Crss）为998pF。这些电容参数较小，有助于减少开关过程中的寄生效应，提高开关速度和电路的动态性能。

开关特性：在VDD=30V、RL=15Ω、RG=2.5Ω、VGS=10V的条件下，开通延迟时间（td(on)）为15ns，开通上升时间（tr）为40ns；关断延迟时间（td(off)）为100ns，关断下降时间（tf）为32ns。总栅极电荷（Qg）为179.5nC，栅极源极电荷（Qgs）为27.6nC，栅极漏极电荷（Qgd）为40.9nC。这些参数表明NCE40H21具有快速的开关能力，能够有效减少开关损耗和电磁干扰。