新洁能NCE80H12D高性能N沟道MOSFET在硬开关和高频电路中的应用

NCE80H12D是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，其低导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷特性使其在硬开关和高频电路中表现出色。今天，南山电子说一说新洁能NCE80H12D高性能N沟道MOSFET在硬开关和高频电路中的应用。

 硬开关电路中的应用

- 硬开关全桥电路：NCE80H12D可用于硬开关全桥电路，这种电路广泛应用于电源供应器、UPS不间断电源、新能源汽车充电系统和工业变频器等。在这些应用中，NCE80H12D的高电流承载能力（120A）和低导通电阻（小于6mΩ@VGS=10V），能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。

- 开关电源设计：在开关电源中，NCE80H12D作为功率开关管，其快速的开关速度和低栅极电荷有助于提高电源的开关频率，从而减小变压器和电感的体积。同时，其高耐压（80V）和高电流能力能够满足高功率密度的设计需求。

 高频电路中的应用

- 高频开关电源：在高频开关电源中，NCE80H12D的低栅极电荷和快速开关特性使其能够工作在较高的频率下，减少开关损耗。这有助于实现更紧凑的电源设计，同时提高电源的动态响应性能。

- 高频逆变器：在高频逆变器中，NCE80H12D可用于构建高频逆变电路，其低导通电阻和快速开关能力能够提高逆变器的效率。此外，其高耐压和高电流能力使其能够承受较大的负载。

NCE80H12D凭借其低导通电阻、低栅极电荷和高耐压等特性，在硬开关和高频电路中能够提供高效、可靠的性能，满足多种高功率密度和高效率的应用需求。

最后，介绍一下NCE80H12D的电气特性。

- 关断特性：

  - 漏源击穿电压（BVDSS）在VGS=0V、ID=250μA时，最小值为80V，最大值为89V。

  - 零栅极电压漏极电流（IDSS）在VDS=80V、VGS=0V时，最大值为1μA。

  - 栅极-体二极管漏电流（IGSS）在VGS=±20V、VDS=0V时，最大值为±100nA。

- 导通特性：

  - 栅极阈值电压（VGS(th)）在VDS=VGS、ID=250μA时，最小值为2V，典型值为3V，最大值为4V。

  - 漏源导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V、ID=40A时，最小值为4.9mΩ，最大值为6mΩ。

  - 正向跨导（gFS）在VDS=25V、ID=57A时，最小值为90S。

- 动态特性：

  - 输入电容（Clss）最大值为6500pF。

  - 输出电容（Coss）最大值为520pF。

  - 反向转移电容（Crss）在VDS=25V、VGS=0V、F=1.0MHz时，最大值为460pF。

- 开关特性：

  - 开通延迟时间（td(on)）最大值为26ns。

  - 开通上升时间（tr）最大值为24ns。

  - 关断延迟时间（td(off)）最大值为91ns。

  - 关断下降时间（tf）最大值为39ns。

  - 总栅极电荷（Qg）最大值为163nC。

  - 栅极-源极电荷（Qgs）最大值为31nC。

  - 栅极-漏极电荷（Qgd）在VDS=30V、ID=30A、VGS=10V时，最大值为64nC。

- 漏源二极管特性：

  - 二极管正向电压（VSD）在VGS=0V、IS=40A时，最大值为1.2V。

  - 二极管正向电流（IS）最大值为120A。

  - 反向恢复时间（trr）在TJ=25℃、IF=40A、di/dt=100A/μs时，最小值为42ns，最大值为60ns。

  - 反向恢复电荷（Qrr）在TJ=25℃、IF=40A、di/dt=100A/μs时，最小值为66nC，最大值为80nC。