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新洁能 NCE30P12S：适用于 PWM 和负载开关的卓越功率器件

发布时间：2025-05-27 品牌：新洁能(NCE) 浏览量：31

在现代电子设备中，功率 MOSFET 是实现高效功率转换和控制的关键元件。新洁能推出的增强型功率 MOSFET，凭借其优质性能，成为众多工程师的理想选择。今天就来了解下这款新洁能 NCE30P12S：适用于 PWM 和负载开关的卓越功率器件。

NCE30P12S 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷（Qg），同时支持低至 4.5V 的栅极电压操作。这使得该器件在高频开关应用中表现出色，特别适合 PWM 应用和负载开关。

高耐压与大电流处理能力

NCE30P12S 的漏源电压（VDS）高达 -30V，能够承受高电压冲击。连续漏极电流（ID）可达 -12A，满足高功率应用需求。这使得 NCE30P12S 能够在各种高功率场景中稳定运行，确保设备的可靠性和效率。

低导通电阻与低栅极电荷

在 VGS=-4.5V 时，RDS(ON) 小于 21mΩ；在 VGS=-10V 时，RDS(ON) 小于 13mΩ。低导通电阻显著降低了功耗，提高了系统的整体效率。同时，低栅极电荷（Qg）减少了开关损耗，确保了在高频应用中的快速响应。

高功率处理能力

NCE30P12S 支持高功率和大电流处理，适用于高功率应用。其高功率处理能力使其在 PWM 应用和负载开关中表现出色，能够满足各种高功率需求。

无铅封装与表面贴装

NCE30P12S 采用环保的无铅封装，符合现代电子设备的环保要求。SOP-8 封装形式适合表面贴装工艺，提高了生产效率，同时减少了焊接过程中的复杂性。

应用场景

NCE30P12S 广泛应用于 PWM 应用和负载开关。在 PWM 应用中，NCE30P12S 提供高效的功率转换和控制，确保信号的快速、准确传输。在负载开关应用中，NCE30P12S 提供稳定的电流控制，确保负载的可靠切换。

技术参数

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	BVDSS	VGS=0V, ID=-250μA	-30	-	-	V
零栅极电压漏极电流	IDSS	VDS=-30V, VGS=0V	-	-	-1	μA
栅极-体漏漏电流	IGSS	VGS=±20V, VDS=0V	-	-	±100	nA
栅极阈值电压	VGS(th)	VDS=VGS, ID=-250μA	-2.2	-1.5	-1	V
漏源导通电阻	RDS(ON)	VGS=-10V, ID=-10A	11.5	13	-	mΩ
漏源导通电阻	RDS(ON)	VGS=-4.5V, ID=-7A	15	21	-	mΩ
前向跨导	gFS	VDS=-10V, ID=-10A	-	20	-	S
输入电容	Clss	VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz	-	2419	-	pF
输出电容	Coss	-	318	-	-	pF
反向转移电容	Crss	VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz	-	262	-	pF
开启延迟时间	td(on)	VDD=-15V, ID=-10A, VGS=-10V, RGEN=1Ω	-	9	-	nS
开启上升时间	tr	-	-	8	-	nS
关闭延迟时间	td(off)	-	-	28	-	nS
关闭下降时间	tf	-	-	10	-	nS
总栅极电荷	Qg	VDS=-15V, ID=-10A, VGS=-10V	-	44.4	-	nC
栅极-源极电荷	Qgs	-	-	4.6	-	nC
栅极-漏极电荷	Qgd	-	-	10	-	nC
整流器正向电流	IS	VGS=0V, IS=-12A	-	-	-12	A
整流器正向电压	VSD	VGS=0V, IS=-12A	-	-1.2	-	V

性能优势

NCE30P12S 的性能优势使其在各种应用场景中都能提供卓越的性能。其低导通电阻和低栅极电荷确保了在高频应用中的快速响应，而高功率处理能力则使其能够满足各种高功率需求。

新洁能 NCE30P12S P-Channel 增强型功率 MOSFET 凭借其卓越的性能和可靠性，成为 PWM 应用和负载开关的理想选择。无论是在 PWM 控制还是负载切换中，NCE30P12S 都能提供高效、稳定和可靠的性能。选择新洁能 NCE30P12S，开启高效、稳定和可靠的功率管理新时代。