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国巨厚膜高精度低温漂电阻RE0402系列是高精度、高稳定性和可靠性的电阻器
国巨（Yageo）厚膜高精度低温漂电阻RE0402系列是专为满足现代电子设备对高精度与稳定性的严格要求而设计的高性能电阻产品。该系列电阻采用先进的厚膜技术制造，通过溅射、烧结等工艺在陶瓷基片上形成电阻膜，再经过精密的调整和封装，最终形成了具有高精度、高稳定性和可靠性的电阻器。2025-05-28 -
新洁能NCE6020AK增强型N沟道功率MOSFET在不间断电源（UPS）中的应用和优势
NCE6020AK是由无锡NCEPowerCo.,Ltd生产的N沟道增强型功率MOSFET。它采用了先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷特性，能够满足多种应用需求。 今天，本文介绍一下新洁能NCE6020AK增强型N沟道功率MOSFET在不间断电源（UPS）中的应用和优势。2025-05-21 -
中微亿芯电源管理DCDC芯片JPM系列在多个领域得到了广泛应用
在现代电子系统中，电源管理芯片是确保设备稳定运行的关键部件之一，而DCDC芯片作为电源管理芯片的重要分支，因其高效率、高功率密度以及灵活的电压转换能力，被广泛应用于各类电子设备中。中微亿芯作为一家专注于电源管理芯片研发的企业，其推出的DCDC芯片系列凭借卓越的性能和广泛的应用场景，成为市场上的热门选择，中微亿芯电源管理DCDC芯片JPM系列在多个领域得到了广泛应用。2025-05-19 -
中科芯国产芯片CKS32F072RBT6替代STM32F072RBT6的优势有哪些？
随着国产芯片技术的飞速发展，中科芯CKS32F072RBT6凭借其高度的兼容性、优异的性能和更具竞争力的成本，成为STM32F072RBT6的理想替代选择。那么，中科芯国产芯片CKS32F072RBT6替代STM32F072RBT6的优势有哪些？2025-05-16 -
新洁能P-Channel增强型功率MOSFET管NCE3401AY在电源管理系统中的应用
新洁能NCE3401AY是一款P-Channel增强型功率MOSFET，凭借其低导通电阻、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作能力，在电源管理系统中具有广泛的应用。2025-05-13 -
新洁能NCE40H21：高性能N沟道增强型功率MOSFET
新洁能NCE40H21是由无锡NCE功率有限公司生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，它采用了先进的沟槽技术与设计，能够提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场合。2025-05-07 -
中科芯32位MCU CKS32F103RCT6可完美替换STM32F103RCT6应用于智能路灯控制器
路灯是当前城市建设中不可或缺的照明设施，对人们和车辆的安全提供保障。市政照明不仅要顾及行人和车辆两个方面，还要顾及不同时间段和不同路段的车流情况，才能最经济、最有效的为城市提供照明，同时将能耗降到最低，节约市政成本开支。另外，因市政道路照明设施数量庞大，不能及时获取路灯实时状态，维护困难。基于中科芯32位MCU CKS32F103RCT6开发的智能路灯控制器就能很好地解决上述难点。中科芯CKS32F103RCT6是一款高性能高性价比的微控制器，作为主控芯片运用于智能路灯控制器中是很好的选择。2025-01-22 -
EPSON芯片：S1S77100射频发射器IC-爱普生S1S77100选型手册/样品申请/订货价格
爱普生已经量产的S1S77100正在接受样品预定（需要S1S77100样品的）。这是EPSON用于无线通信发射器的射频发射器IC，采用24针SQFN封装仅4mm，20μA低功耗设计，这款射频发射器芯片成为智能电表、高尔夫球车遥控器等小型射频发射器的理想选择。S1S77100价格和样品预定信息、完整规格书下载地址、测试电路电路如下：2024-09-29 -
7代IGBT型号推荐：新洁能 NCE100ED65VTP(650V/100A)和英飞凌IGBT IKW75N65ET7XKSA1
IGBT 功经历了七代升级：衬底从 PT 穿通，NPT 非穿通到 FS 场 截止，栅极从平面到 Trench 沟槽，最后到目前的第七代的精细 Trench 沟槽。 基于微沟槽场截止技术，七代IGBT可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。 以新洁能NCE40ED65VT~NCE160ED65VTP这十一款七代（Gen.7 ）IGBT为例，在100℃标称电流达到40A~160A。 来2024-07-18 -
国产OR-3120(B)光耦选型资料：光伏逆变器用IGBT驱动光耦推荐
光伏逆变器是光伏阵列系统中重要的系统平衡（BOS）之一，可以配合一般交流供电的设备使用。国产光耦OR-3120(B)是奥伦德（ORIENT）众多产品线中比较适用于驱动光伏逆变器IGBT的元器件之一。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制器件所需的驱动电压。2024-06-27 -
电表用国产固态电容型号和参数推荐
2023-12-22 -
RX-8025T实时时钟模块在智能电表中的应用
2023-12-22
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