新洁能30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET 产品介绍（第一代屏蔽栅沟槽NMOS管）

SGT-MOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是基于传统沟槽式MOSFET的改进，屏蔽栅在漂移区中的作用相当于体内场板，使得其在导通电阻R_(ON(SP))和品质因数(FOM=Ron*Qg)等方面具有显著优势，有效地提高了系统的能源利用效率。

新洁能30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品（第一代屏蔽栅沟槽NMOS管），以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。针对电源设计领域中，设计人员面临提高系统效率与功率密度，同时降低系统成本的双重挑战，新洁能N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品凭借出色的性能优势可实现快速硬开关，大幅度增强了应用效率，成为该挑战的完美解决方案。N沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装，为设计人员定制化提供更加丰富灵活的选择。

产品特点:

• 低导通电阻：30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品通过优化器件结构和采用屏蔽栅技术，显著降低了导通电阻，从而减少了能量损耗。
• 优良品质因子：品质因子（FOM，即RDS(on)×Qg）是衡量MOSFET性能的重要指标。30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品通过减小导通电阻和栅电荷容量，实现了优秀的品质因子，这使得其在高频应用中表现出色。
• 高可靠性：30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品由于其结构设计和制造工艺，具有较高的可靠性，能够承受更高的雪崩击穿和浪涌电流，适用于通信、新能源汽车等高端应用领域。
• 高性价比：30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品通过领先的技术和卓越的质量管理，提供了行业最优的性价比，降低了系统设计难度，同时保证了出色的性能和可靠性。

产品应用:

• 开关电源（SMPS）中的同步整流: N沟道SGT-I系列功率MOSFET在SMPS中用于同步整流，以提高效率和降低功耗。同步整流技术通过使用低导通电阻的N沟道MOSFET替代传统的二极管整流器，从而减少电压降和功耗。
• DC电机控制: N沟道SGT-I系列功率MOSFET也被用于DC电机控制，其低导通电阻和快速开关速度有助于提高电机控制系统的效率和响应速度。
• 太阳能微型逆变器: N沟道SGT-I系列功率MOSFET在太阳能微型逆变器中应用广泛，它们能够有效地处理太阳能电池板产生的直流电，并将其转换为交流电供家庭或商业电网使用。
• 电信及服务器电源: N沟道SGT-I系列功率MOSFET在电信和服务器电源系统中被广泛使用，它们能够提供高效率和可靠性，满足这些系统对电源稳定性和效率的严格要求。
• 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，N沟道SGT-I系列功率MOSFET用于提高电源转换效率和可靠性，确保在市电中断时能够无缝切换到电池供电，从而保障关键设备的连续运行。

新洁能30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品能够满足多种不同应用领域的需求，其具体应用于电视、通信交换机与路由器、启停器、吸尘器、电池管理、转换器、车载逆变器、电控、5G电源、医疗设备、扫地机器人、基站电源、手持电动工具、空气净化器等。

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