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新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品介绍
SGT技术本身是一种先进的制造工艺,通过减小场效应晶体管的寄生电容及导通电阻,提升了芯片性能,并减少了芯片面积。与传统的沟槽型MOSFET相比,SGT技术能够在相同功耗下将芯片面积减少40%甚至更多。之前有相关文章介绍了新洁能N沟道SGT-I和SGT-II系列产品,今天来介绍新洁能新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品。

产品特点:
- 导通电阻降低:相比于上一代产品,SGT-Ⅲ系列MOSFET的特征导通电阻降低了20%以上。
- 开关特性优良:该MOSFET具有超低栅极电荷和大电流关断能力强的特点,能够实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。
- 抗冲击能力强:新洁能的Super Trench技术提升了MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量短路能力提升:短路能力也提升了10%以上,进一步增强了产品的性能和竞争力。
- EMI特优化性:第三代产品具有更优的电磁干扰(EMI)特性,可以更好地应对电磁干扰问题。
30-250V N沟道SGT-III MOSFET产品列表 | |||
---|---|---|---|
NCEP008NH40GU | NCEP088NH150GU | NCEP015NH30AQU | NCEP055NH40GU |
NCEP023NH30GU | NCEP008NH40ASL | NCEP015NH30GU | NCEP055NH40AGU |
NCEP040NH150LL | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30AGU | NCEP011NH40GU |
NCEP011NH25QU | NCEP023NH85GU | NCEP015NH100LL | NCEP015NH40GU |
NCEP048NH150T | NCEP014NH60GU | NCEP058NH150 | NCEP011NH40AGU |
产品应用:
- 电源管理:广泛于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用,以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。
- 电机控制:适用于高功率电机控制,如电动机驱动器、工业自动化设备、大型电机和电机保护电路。
南山电子是新洁能公司授权代理商,仓库现货超过200k,可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务,欢迎咨询选购新洁能新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品,如需产品最新价格请联系我们18251882769(唐经理)或者联系网站客服。