长晶科技半导体功率器件一期封测厂完成扩产

晶圆级封装MOSFET的产品，通俗而言即充放电控制器件，可以对锂电池进行充电保护，改善电池系统的性能和安全，在长晶科技以前，全球只有美国和日本的个别企业可以规模量产该产品。

长晶科技2020年底，公司在浦口经济开发区投资建设长晶浦联封测基地，实现了封装测试环节的自主可控。随着长晶MOSFET和IGBT等功率器件的国产化需求旺盛，首期产能迅速饱和。长晶mos管和IGBT管实现了自己研发、自己封装，逐步打造从单管到模块的全规格覆盖，当前在家电、变频伺服、光伏储能、直流充电桩、汽车OBC等行业客户端已实现规模化量产。

作为为国内领先的半导体功率器件企业，自2019年开始，长晶科技连续5年被中国半导体行业协会评为“中国半导体功率器件十强企业”，并在海内外多地设立研发中心、子分公司或办事处，产品系列和型号超20000个。预计今年四季度，长晶科技封测基地一期厂房将全面投产，功率器件国产化替代跑出“加速度”。员工人数从2018年的30人快速增长到2024年的1700人左右。

2024年9月，随着长晶功率器件一期封测厂房扩产升级工作顺利收官，这家专业从事半导体产品研发、生产和销售的高科技公司，迎来发展历程中的又一里程碑。本次扩产后，除了满足工业级功率器件市场需求外，也为汽车主驱、输配电等应用的车规MOSFET和IGBT产品布局，做好了物质基础。

长晶科技自主研发的晶圆级封装MOSFET产品，经过江苏省工业和信息化厅鉴定，总体处于国内领先、国际先进水平。在国内率先实现规模量产并替代进口品牌，目前正在研发迭代下一代技术，以进一步提升器件性能，实现弯道超车。

南京南山半导体是长晶MOSFET和IGBT功率器件和二三极管等全线产品的授权经销商。随着本次长晶功率器件封装厂房扩建完成，相信能够进一步帮助国产功率器件在价格、一致性稳定性和晶圆交期取得进一步优势。