N沟道MOSFET

N沟道MOSFET是一种电压控制器件，它分为增强型和耗尽型两种。在N沟道MOSFET中，轻掺杂的P型衬底可以形成器件本体，而源极和漏极区用N型杂质重掺杂。源极和主体通常连接到接地端子，一旦向栅极端子施加正电压，由于栅极的正性和等效电容效应，P型衬底的少数电荷载流子就会吸引到栅极端子。P型衬底的多数电荷载流子（如电子）和少数电荷载流子将被吸引到栅极端子，使其通过电子与空穴的复合在介电层下方形成一个未覆盖的负离子层。如果不断增加正栅极电压，复合过程将在阈值电压水平之后达到饱和，然后像电子一样的电荷载流子将开始在该位置聚集，形成自由电子传导通道。这些自由电子也将来自重掺杂源，并耗尽N型区。如果在漏极端施加+ve电压，那么电流将在整个通道中流动。因此，沟道电阻将取决于沟道内的电子等自由电荷载流子。同样，这些电子将取决于该沟道内器件的栅极电位。当自由电子浓度形成通道时，由于栅极电压的增加，整个通道的电流将增强 。