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NCEP039N10D:新洁能超级沟槽II代MOSFET的卓越性能与应用
在高效电源管理领域,MOSFET的性能直接决定了系统的能效与可靠性。新洁能(NCE)推出的NCEP039N10D:新洁能超级沟槽II代MOSFET,基于Super Trench II技术,以极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)为核心优势,成为高频开关和同步整流应用的标杆级解决方案。其100V耐压、135A高电流能力,以及优化的封装设计,尤其适合DC/DC转换器等高效能场景。

NCEP039N10D主要参数:
- 漏源电压(VDS):100V
- 连续漏极电流(ID):135A
- 脉冲漏极电流(IDM):540A
- 导通电阻(RDS(ON)):3.5mΩ @ VGS=10V
- 栅源电压(VGS):±20V
- 最大功耗(PD):220W
- 单脉冲雪崩能量(EAS):730mJ
- 工作温度范围:-55℃至175℃
NCEP039N10D特点:
- 强电流电压支持:最高承受100V电压,持续电流可达135A,满足大功率设备需求。
- 导通电阻低:在10V驱动电压下,导通电阻仅3.5mΩ。更低的电阻意味着工作时发热少,能效更高。
- 高效开关:采用独特设计降低开关损耗,特别适合高频工作场景,可提升系统整体效率。
- 耐高温:能在175℃高温下稳定运行,适应汽车电子、工业设备等严苛环境。
- 环保材料:符合无铅环保标准,减少对环境影响。
- 100% UIS TESTED!
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NCEP039N10D应用场景:
- DC/DC转换器:NCEP039N10D的快速开关特性可提升电源转换效率,帮助缩小变压器和电容体积,适用于电脑电源、通信设备等。
- 同步整流:NCEP039N10D可以很好地替代传统的二极管整流方案。相比传统二极管,导通损耗降低80%以上,特别适合充电器、逆变器等需要高效整流的设备。
南山电子是新洁能公司授权代理商,欢迎咨询选NCEP039N10D MOS管,了解产品最新价格请联系我们18251882769(唐经理)或者联系网站客服。