新洁能(NCE)

通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好稳定的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）广泛应用于各个领域。新洁能IGBT型号的额定电压主要集中在600-750V和 IGBT 1200V-1350V，量产型号90个左右。南山电子是新洁能全系列IGBT代理商/经销商，拥有大量现货库存。

通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好稳定的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）广泛应用于各个领域。新洁能IGBT型号的额定电压主要集中在600-750V和 IGBT 1200V-1350V，量产型号90个左右。南山电子是新洁能全系列IGBT代理商/经销商，拥有大量现货库存。

新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。

新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。

新洁能提供的12V~100V Complementary（N、P型互补式）MOSFET产品，是通过将P型与N型Trench功率MOSFET产品分别以高、低边互补配置的方式集成至单个封装中，极大程度上优化了产品封装结构。

新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。新洁能为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V，配合先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。 应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。 新洁能结合先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度，新洁能推出TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并降低了成本。