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上海贝岭IGBT与SiC MOS功率器件与IC芯片，赋能直流充电桩与V2G应用
随着电动汽车续航与电池容量不断提升，市场对高效率、快充基础设施的需求日益紧迫。V2G（车辆到电网）技术进一步拓展了充电桩功能边界，使其不仅能充电，还可将电动车电池电能回馈至电网，参与电网调节，提升电网对可再生能源的接纳能力。
直流充电桩主要由前级AC/DC电路与后级DC/DC电路构成。前级将电网交流电（380–415VAC）转换为约800V的直流电压，前级拓扑主要有Vienna PFC和T型NPC PFC；后级将直流电压转换为适合电池充电的电压，后级拓扑主要有LLC电路和双有源桥。
直流充电桩贝岭选型方案：
上海贝岭提供覆盖650V与1200V电压等级的系列化半导体解决方案，包括IGBT、SiC MOS，以及用于辅助电源的Planar MOS等功率器件与关键IC芯片，为充电桩提供从功率转换到控制管理的完整技术支撑，助力高效、高可靠性充电系统设计。
功率器件选型表：
| 功能模块 | 应用拓扑 | 电压等级 | 电流等级 | 器件分类 | 产品 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 前级 AC/DC |
三相维也纳 T型三电平 |
650V | 40A | IGBT | BLG40T65FDK | TO247-3L |
| 650V | 50A | BLG50T65FDKA | TO247-3L | |||
| 650V | 60A | BLG60T65FDK | TO247-3L | |||
| 650V | 80A | BLG80T65FDK7 | TO247-3L | |||
| 650V | 80A | BLG80T65FDH7 | TO247-3L | |||
| T型三电平 | 1200V | 40A | BLG40T120FDH | TO247-3L | ||
| 1200V | 40A | BLG40T120FDK5 | TO247-3L | |||
| 1200V | 120A | BLG120T120FEK7 | TO247PLUS-3L | |||
| 1200V | 144A | SiC模块 | BLCMF011N120DG2 | EASY1B | ||
| 后级 DC/DC |
全桥LLC 双有源桥 DAB |
1200V | 68A | SiC MOS | BLC40N120 | TO247-4L |
| 1200V | 152A | BLC13N120 | TO247-4L | |||
| 1200V | 120A | BLC16N120 | TO247-4L | |||
| 1200V | 120A | IGBT | BLG120T120FEK7 | TO247PLUS-3L | ||
| 1200V | 144A | SiC模块 | BLCMF011N120DG2 | EASY1B | ||
| 辅助电源 | 单管反激 | 1500V | 3A | Planar MOS | BL3N150 | TO220 |
| 4A | BL4N150 | TO220 | ||||
| 1200V | 3A | BL3N120 | TO220 | |||
| 4A | BL4N120 | TO220 | ||||
| 6A | BL6N120 | TO220 |
IC芯片选型表：
| 类别 | 产品 | 特性 | 封装 |
|---|---|---|---|
| AC-DC | ME8206 | ▶ SSR ▶ 外置 MOSFE ▶ Pout(Max.)100W ▶ 适合电源适配器等大功率电源应用 |
SOP8 |
| EEPROM | BL24CxxxA | ▶ IIC ▶ 2K~2M ▶ 最高时钟频率 1M ▶ 工作电压 1.7~5.5V |
SOT89-3 SOT223 TO252 SOP8 TO92 |
| LDO/三端稳压 | BL1117 | ▶ 工作电压 Max.15V ▶ 输出电流 1A ▶ Bipolar 型 |
SOT223 TO252 |
| BL78L05D | ▶ 工作电压 Max.42V ▶ 输出电流 100mA ▶ Bipolar 型 |
SOT89-3 SOP8 TO92 |
|
| 运放/比较器 | BL358 系列 | ▶ 低、中、高压运算放大器 | SOP8 |
| ME393 | ▶ 2CH 输入共模电压范围可达零电平 ▶ 输入差分电压的范围与电源电压的范围一致 |
SOP8 | |
| ME339 | ▶ 4CH 输入共模电压范围可达零电平 ▶ 输入差分电压的范围与电源电压的范围一致 |
SOP10 DIP10 |
|
| 低侧驱动器 | SA2532 | ▶ 两通道栅极驱动 ▶ 工作电压 5.0~25V ▶ 驱动能力为+1.0A/-1.5A |
DFN2×2-8 SOP8 |
上海贝岭IGBT技术特点：
贝岭IGBT7平台采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术。BLG80T65FDK7以较低的Vce(sat)和开关损耗，能有效降低充电器热量损耗，提高效率。
- 低开关损耗：在25℃和175℃条件下，BLG80T65FDK7的Eon、Eoff和总损耗Ets均优于竞品H5系列，可提高系统整体效率，并减轻散热负担。
- 低饱和压降：在25℃下，BLG80T65FDK7的Vce(sat)比竞品H5系列小16%左右，有利于降低导通损耗。Vce正温度系数有利于单管并联使用，避免“电流集中”导致的过热损坏。
- 低漏电流：在高温175℃条件下，BLG80T65FDK7的漏电远小于竞品，对于充电桩这类要求持续高负荷运行的设备来说，可提高系统能效和稳定性。
上海贝岭SiC MOSFET技术特点：
贝岭BLC16N120这款N沟道增强型平面SiC MOSFET采用第二代平面栅技术，具有低导通电阻、低电容、低栅极电荷、高开关频率和低开关损耗等优越性能。
- 低RDS(ON)温升系数：在温度175℃下，BLC16N120的Rdson比竞品低15%—45%左右，温升系数低易于高功率密度并联使用，可降低充电桩系统温升。
- 低HDFM：BLC16N120的HDFM远低于很多竞品，HDFM用于衡量器件的导通损耗和开关损耗，数值越小意味着整体效率越高。
- 高抗串扰能力：在全桥这类拓扑结构中，BLC16N120具备的高抗串扰能力能有效地抵御桥臂直通的风险。
