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新洁能N沟道600-750V系列IGBT产品介绍/型号推荐/最新IGBT价格
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至750V的N沟道IGBT器件。在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好稳定的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。广泛应用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及所有的硬开关。N沟道600-750V系列IGBT产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。2024-11-20 -
新洁能N沟道和P沟道双芯场效应管（N and P-Channel Dual MOSFET）系列产品介绍
新洁能提供的P型20V~60V 和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结构，为设计人员简化电路，提高系统功率密度提供新的选项。该双芯功率MOSFET产品主要采用Trench以及SGT技术，设计人员可以根据实际应用需求选择。该类产品广泛应用于电池管理、电机驱动以及负载开关等。2024-11-19 -
新洁能N+P沟道互补式场效应管（Complementary MOSFET）系列产品介绍
新洁能N+P沟道互补式场效应管（Complementary MOSFET）这种类型的场效应管同时使用N沟道和P沟道场效应管，以互补方式连接，以在某些应用中实现特定优势。N和P沟道场效应管的组合提供了更平衡的性能，并能够创建不同类型的电路，例如推挽放大器和CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑门。该类产品广泛应用于DC-DC转换、电机控制以及电池管理系统等。Complementary MOSFET系列产品封装外形包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-2522024-11-18 -
新洁能600-650V N沟道第三代超结TF场效应管（N-Channel SJ-III TF MOSFET）系列产品介绍
新洁能研发团队持续创新，在原有SJ MOSFET（超结MOSFET）技术的基础上，通过进一步技术升级，推出了新洁能600-650V N沟道第三代超结TF场效应管（N-Channel SJ-III TF MOSFET）系列产品。为了满足全桥、半桥、LLC谐振开关应用中效率及EMI需求，基于新洁能在SJ-III技术基础上，在保证良好的导通电阻、极低栅电荷以及出色的开关速度前提下，增强了超结产品的体二极管反向恢复特性，综合优化了超结产品由于体二极管反向恢复带来的损耗以及可靠性问题。2024-11-16 -
新洁能500-800V N沟道SJ-III系列功率MOSFET 产品介绍（第三代超结NMOS管）
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。同时，新洁能SJ-III系列产品提供雪崩耐量（EAS）以及静电释放能力，提高了系统可靠性。此外，该系列产品采用新洁能自主创新技术，优化了产品开关特性，使其在系统应用时具有更好的EMI表现。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。2024-11-15 -
新洁能30-120V N沟道SGT-II系列功率MOSFET 产品介绍（第二代屏蔽栅沟槽NMOS管）
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品具有超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密度与能量转换效率。同时，面向性能与鲁棒性要求极为苛刻的低频应用，新洁能N沟道SGT-II系列产品进一步优化了大电流关断能力与静电防护能力。2024-11-14 -
用于反向极性保护电路的MOSFET：新洁能NCE2333Y P沟道场效应Mos管
保护电路免受反极性影响可以在电源轨中使用肖特基二极管，但因其功率耗散、效率不高，所以不做推荐。制作反极性保护电路的常用方法还有使用简单的PMOS MOSFET或NMOS MOSFET。建议使用 PMOS，因为PMOS会切断正轨，电路不会获得任何电压，如果电路在高直流电压下工作，则产生有害后果的可能性较小。这里推荐用于反向极性保护电路的MOSFET：新洁能NCE2333Y P沟道场效应Mos管，其工作效能高，能为电路提供非常高效能和稳定的电压和电流。2024-11-13 -
新洁能30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET 产品介绍（第一代屏蔽栅沟槽NMOS管）
新洁能30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。针对电源设计领域中，设计人员面临提高系统效率与功率密度，同时降低系统成本的双重挑战，新洁能N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品凭借出色的性能优势可实现快速硬开关，大幅度增强了应用效率，成为该挑战的完美解决方案。2024-11-12 -
新洁能12-200V N沟道沟槽型场效应管（N-Channel Trench MOSFET）系列产品介绍
新洁能12-200V N沟道传统沟槽型场效应管（N-Channel Trench MOSFET）系列产品采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断推进产品迭代，具备完善的MOSFET产品矩阵，技术实力和销售规模处于国内领先地位。产品广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。新洁能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列拥有丰富的封装外形供客户选择2024-11-11 -
新洁能30-100V P沟道第一代屏蔽栅沟槽型场效应管（P-Channel SGT-I MOSFET）系列产品介绍
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。基于SGT-I技术的-30~-100V P沟道功率产品提供超低的导通电阻（RDS(on)），为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下，还进一步提高了系统效率与性能。广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。P沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供解决方案。2024-11-07 -
新洁能12-150V P沟道沟槽型场效应管（P-Channel Trench MOSFET）系列产品介绍
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。同时，新洁能SJ-III系列产品提供雪崩耐量（EAS）以及静电释放能力，提高了系统可靠性。此外，该系列产品采用新洁能自主创新技术，优化了产品开关特性，使其在系统应用时具有更好的EMI表现。2024-11-06 -
新洁能N-channel SGT MOSFET NCEP0135AK，推荐用于无刷直流电机控制中
无刷直流电机设备往往运作在各种不同的极端工作环境中，比如高温消毒设备中的温度达到了125℃以上，因此我们对器件的可靠性提出了更高的需求。作为一款可靠性高的mos管，新洁能N-channel SGT MOSFET NCEP0135AK，推荐用于无刷直流电机控制中，它能够使电机在高效运转的前提下实现低功耗。2024-11-04 -
新洁能NCEP0230D功率 MOSFET：高频电路中的理想选择
在高频电路中，电源类产品内部的主要损耗一般来源于功率MOSFET及磁性器件的损耗，所以MOSFET的选型尤为重要，它不仅决定了电路的性能，还直接关系到整个系统的稳定性和可靠性。新洁能作为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域的领军企业，推出新洁能NCEP0230D功率 MOSFET：高频电路中的理想选择，是一款具有卓越性能的MOS管，其采用Super Trench II技术，经过独特优化，可提供最高效的高频率切换性能。2024-11-02 -
新洁能国产NCE2302低压MOS管，让锂电池保护板更加稳定、可靠
随着锂电池市场规模的扩大，锂电池保护板的应用也逐渐增多。在锂电池保护板中，MOS管主要作为开关器件，用于控制电池的充放电路径的通断，从而实现对电池的保护，其性能好坏直接影响锂电保护板的工作可靠性。如何选择一款优质而可靠的MOS管能给锂电池保护板提升保障呢？推荐使用新洁能国产NCE2302低压MOS管，让锂电池保护板更加稳定、可靠。2024-11-01 -
爱普生XV-3510CB陀螺仪传感器实现图像稳定与运动检测功能
在当今科技日新月异的时代，传感器技术作为连接物理世界与数字世界的桥梁，正以前所未有的速度推动着智能设备的革新与发展。之前我们通过江苏南山电子的窗口，已经对爱普生XV-3510CB超小型高精度振动陀螺仪传感器的技术特点有了深刻的认识。其低功耗和睡眠模式的设计，非常适合应用于需要高度稳定性和精度的场景，特别是在数字视频稳定器（DVC）与动态稳定相机（DSC）的图像稳定性监测领域，以及具有人机交互界面的运动检测方面，爱普生XV-3510CB超小型振动陀螺仪传感器（角速率传感设备）均展现了其显著的应用价值和潜力。2024-10-30 -
国产P沟道MOS管——新洁能NCE60P04R参数规格与应用分析
作为一种经典MOS管类型，P沟道MOS管的特点通常包括高输入阻抗和低输出阻抗，可以实现电路信号的放大和调节。由于其灵敏度高、响应速度快，因此可以在高频率下使用。相对于其他类型的场效应管，P沟道MOS管在开关电路中具有较低的电压漂移和噪声水平。这些特点使得P沟道MOS管在电子领域中有其独特的应用价值，尤其是在需要高频率响应和低噪声的场合。南山电子代理品牌新洁能（NCE）推出的NCE60P04R是一款P沟道增强型功率MOS管，其VDS（漏源电压）为-60V和ID（漏极电流）为-4.3A2024-10-30 -
新洁能国产小功率MOS管NCE3018AS，适用于电源开关、硬开关和高频电路等应用
小功率MOS管是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有低电阻、高开关速度和低驱动电压等优点。小功率MOS管的导通电阻一般在几毫欧到几十毫欧之间，输入阻抗高，驱动功率小，因此在作为功率开关使用时，所需的驱动电流较小，驱动电路简单，且具有较高的功率增益和稳定性。南山电子代理品牌新洁能（NCE）推出的NCE3018AS是一款漏源电压达30V，连续漏极电流达18A的小功率MOS管。采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，确保高效电能转换。2024-10-28 -
爱普生防水防尘惯性测量单元M-G552系列选型手册应用
爱普生M-G552系列IMU（惯性测量单元，惯性测量模块）是爱普生（EPSON）众多高性能、高精度的惯性传感器中唯一强调防水防尘性能的IMU系列号，具有金属外壳，特别适用于各种工业和重型应用场合，例如在恶劣的工业环境中进行设备监测、控制和导航任务；其防水防尘性能确保了在潮湿、多尘、甚至恶劣的工业环境中也能可靠地运行，从而提高了设备的稳定性和使用寿命。此外，M-G552系列IMU还具备高精度的惯性测量功能，能够提供准确的加速度、角速度和姿态信息，为各种复杂的应用场景提供了强大的技术支持。2024-10-26 -
新洁能60V功率MOSFET - NCE6080K，具备良好的稳定性和一致性等性能优势
无锡新洁能（NCE）推出的NCE6080K是一款低压N沟道场效应管(MOSFET)，封装形式为TO-252，具有60V的耐压值，可以流过电流最大值为80A。其具有低导通电阻，RDS(on)@Vgs=10V时仅为8.5mΩ，且阈值电压低，仅为4V@250uA。新洁能60V功率MOSFET - NCE6080K，具备良好的稳定性和一致性，适用于PWM、负载开关等多种应用。其宽温度工作范围（-55℃~+175℃）和低功耗设计，使得它在各种环境下都能表现出色。2024-10-26 -
新洁能国产功率MOSFET - NCE60P12K选型资料/原装现货/最新MOS管价格
南山电子代理的NCE60P12K是由中国功率器件上市公司新洁能（NCE）推出的一款P沟道MOSFET。采用先进的沟槽技术设计，NCE60P12K的最大耗散功率为45W，最大漏源电压为60V，连续漏极电流为12A至20A，阈值电压为-2.2V，工作温度范围为-55℃至175℃。新洁能国产功率MOSFET - NCE60P12K具有低导通电阻、高耐压特性、快速开关特性和优秀的热特性，能够在高温、高电压环境下稳定工作，非常适合高电流负载应用。2024-10-25
电子元器件整合供应商
