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7代IGBT型号推荐：新洁能 NCE100ED65VTP(650V/100A)和英飞凌IGBT IKW75N65ET7XKSA1
IGBT 功率器件经历了七代升级：衬底从 PT 穿通，NPT 非穿通到 FS 场 截止，栅极从平面到 Trench 沟槽，最后到目前的第七代的精细 Trench 沟槽。 基于微沟槽场截止技术，七代IGBT可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。
以新洁能NCE40ED65VT~NCE160ED65VTP这十一款七代（Gen.7 ）大电流IGBT为例，在100℃标称电流达到40A~160A。
来源自英飞凌官方微信公众号的信息，英飞凌目前主推的在七代IGBT是20A（IKW20N65ET7XKSA1）~75（IKW75N65ET7XKSA1）的五款型号的。而国产IGBT品牌新洁能可以量产100A（NCE100ED65VTP4等）和160A的（NCE160ED65VTP等）的几款产品。
新洁能（NCE） Gen.7 IGBT 系列产品为匹配不同应用需求，开发了不同参数特点的产品系列，今天要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS 等应用。
以650V 40A(NCE40ED65VT)规格为例，该产品是一款650V、TO-247 封装、100℃下额定电流 40A的产品。与常见的相近规格产品进行实测对比，详细数据如下：
从测试数据来看，NCE40ED65VT 的正向导通压降和二极管续流压降都具有优势，无论是在正向导通还是续流时都具备更小的器件损耗，并且具备与同规格竞品相近的开关损耗。关断过程中 NCE40ED65VT 尖峰电压 VCEpeak 较低，为实际应用提供更充分的有效电压余 量。新洁能 Gen.7 IGBT 系列产品不但可以通过 JEDEC 标准中的常规可靠性项目，也可以通 过 HV-H3TRB 等更高要求的可靠性项目，满足实际应用中同时具备高温、高湿、高压的严苛应用要求。 新洁能 Gen.7 IGBT “V”系列 650V 产品目前已量产 40A~200A 等多个电流规格产品， 由于 Gen.7 IGBT 芯片具备更高的电流密度，可以完成相同体积内更大电流的产品以及相同 电流更小的封装体积。例如，650V 50A 产品可以封装进 TO-263 封装，650V 200A 的 TO-247Plus 封装。同时大电流产品开发了具有开尔文引脚的 4L 封装。
目前除了已量产的TO-247封装外，新洁能7代大电流IGBT还可以提供TO-220/TO-220F/TO-263/TO-3P/TO-3PF等多种封装。详见下表：
从官方网站和微信公众号分享的信息看，新洁能IGBT和英飞凌IGBT品牌都具有较高的技术实力，下表整理了两个品牌的几款7代大电流IGBT型号推荐给您参考：
| 型号 | 封装 | Vces(V) | IC(A)@100℃ |
|---|---|---|---|
| NCE40ED65VT | TO-247-3L | 650 | 40 |
| NCE50ED65VT | TO-247-3L | 50 | |
| NCE75ED65VT | TO-247-3L | 75 | |
| NCE75ED65VT4 | TO-247-4L | 75 | |
| NCE75ED65VTP | TO-247P-3L | 75 | |
| NCE100ED65VT | TO-247-3L | 100 | |
| NCE100ED65VTP | TO-247P-3L | 100 | |
| NCE100ED65VT4 | TO-247-4L | 100 | |
| NCE100ED65VTP4 | TO-247P-4L | 100 | |
| NCE160ED65VTP | TO-247P-3L | 160 | |
| NCE160ED65VTP4 | TO-247P-4L | 160 | |
| IKW20N65ET7XKSA1（SP005348286） | TO-247 | 27.5 | |
| IKW30N65ET7XKSA1（SP005348289） | TO-247 | 39.1 | |
| IKW40N65ET7XKSA1（SP005403468） | TO-247 | 49.5 | |
| IKW50N65ET7XKSA1（SP005348292） | TO-247 | 59.7 | |
| IKW75N65ET7XKSA1（SP005348294） | TO-247 | 78.5 |
