最新上架
更多- 新洁能30-120V N沟道SGT-II系列功率MOSFET 产品介绍（第二代屏蔽栅沟槽NMOS管）
- 用于反向极性保护电路的MOSFET：新洁能NCE2333Y P沟道场效应Mos管
- 新洁能500-800V N沟道SJ-III系列功率MOSFET 产品介绍（第三代超结NMOS管）
- 新洁能600-650V N沟道第三代超结TF场效应管（N-Channel SJ-III TF MOSFET）系列产品介绍
- 新洁能N+P沟道互补式场效应管（Complementary MOSFET）系列产品介绍
- 新洁能N沟道和P沟道双芯场效应管（N and P-Channel Dual MOSFET）系列产品介绍
- 新洁能N沟道600-750V系列IGBT产品介绍/型号推荐/最新IGBT价格
- 新洁能N沟道功率MOSFET NCE4009S，满足充电器、适配器等需求
- 新洁能国产N沟道沟槽型MOSFET NCE3050K选型资料/ 应用分析/MOS管最新价格
- 新洁能国产MOS管NCE0106Z：UPS不间断电源的解决方案
国巨君耀TMOV系列三脚压敏电阻原厂选型资料下载
国巨君耀3引脚压敏电阻TMOV系列内部由MOV压敏电阻和符合UL标准的熔断保险丝两个部分串联构成，在压敏电阻和保险丝之间接出一根引线，作为监控MOV压敏电阻和熔断保险丝工作情况的输出信号的监控引脚。从结构上，国巨-君耀压敏三脚压敏电阻的监控引脚可能是第二引脚（E型）也可能是第三引脚（M型），因此在初次选型确定型号时要注意区分。该TMOV的N型结构，取消监控引脚，只提供2个引脚结构。具体见下图：
国巨（YAGEO）TMOV系列属于工业级压敏电阻，具有短时间承接大浪涌电路的能力，额定工作温度达到136℃，具有快速响应瞬态过电压和限流功能，有效应对大浪涌电路的冲击。具有较低的钳位比，无后续电流的特点。国巨压敏电阻全部通过UL: E327997安规标准认证。目前量产20mm和25mm两个尺寸，另外提供TMOV系列还提14mm双引线压敏电阻。
TMOV 14D（2引脚）
- 击穿电压: 82~1200V
- 耐电流量: 6000A
- 尺寸: 14mm
- 选型资料下载：
TMOV 20D（三脚压敏电阻）
- 击穿电压: 82~1200V
- 耐电流量: 10000A
- 尺寸: 20mm
- 选型手册下载：
TMOV 25D（三引线压敏电阻）
- 击穿电压: 150~1200V
- 峰值耐电流量高达: 18000A
- 尺寸: 25mm
- 规格书下载：
型号命名方法：
3脚压敏电阻型号示例：561KM20
- 561：额定击穿电压560V（采用三位数表示法。例如820=82V;122=1200V）
- K：表示容差为±10%，目前国巨压敏电阻都为K档
- M：为M结构，第三脚为监控引脚。
- 20：圆盘直径尺寸为20mm
