最新上架
更多- 中科芯CKS32F103V8T6完美替代STM32F103V8T6,赋能智能门锁新安全
- 光伏领域“守护者”——奥伦德光伏输出光耦OR357PVG
- 新洁能高性能N沟道增强型功率MOSFET--NCE4080K的开关速度对电源效率的影响
- 国巨可调电阻TR0402KR-07、TR0402MR-07、TR0402NR-07、TR0603KR-07、TR0603MR-07、TR0603NR-07、TR0805KR-07系列介绍
- 君耀瞬态抑制二极管P6SMB系列成为了众多电子工程师的首选
- 风华TF06H系列薄膜电阻:1206封装、±50ppm/℃低温度系数的高精度电阻
- 基美钽电容T598系列:高性能聚合物钽电容的代表
- 槟城电子LED浪涌保护器(SPD)BSPD277D05LF-01A与BSPD277D05LF-01参数对比
- 汽车电子界新宠----新洁能高性能N沟道增强型功率器件NCE3050
- 星海MM1Z/SOD-123和MM3Z/SOD-323 在消费电子领域的应用对比与选型
国产MOSFET:60V小功率mos管NCE6005AS规格书下载/免费样品/最新NCE6005AS价格
南山电子代理的NCE6005AS是由中国功率器件上市公司新洁能(NCE)推出的一款N沟道通用型50V小功率MOSFETId电流5A,具有30mΩ@10V超低的RDS。采用SOP8贴片封装,具有良好的散热性。南山电子仓库现货超过200k,可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务,最新价格请咨询南山半导体官方网站在线客服。
主要参数:
- VDS=60V,ID=5A,Pd=2W
- RDS(ON)<30mΩ@VGS=10V(典型值26mΩ)
- RDS(ON)<38mΩ@VGS=4.5V(典型值32mΩ)
- 超低Rdson的高密度电池设计
- 完全表征雪崩电压和电流
- 高EAS具有良好的稳定性和均匀性
- 出色的封装,散热良好。
- 选型手册/规格书:
用途:
- 各类电源切换应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
采购信息:
- 封装:SOP-8;
- 包装方式:Ø330mm编带包装:
- 最小包装量:4k/盘