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适用于PWM应用的国产MOSFET管-NCE3415规格参数及应用分析
南山电子代理的NCE3415是由中国功率器件上市公司新洁能(NCE)推出的一款SOP-23封装的P沟道增强型MOSFET。该MOSFET的漏源电压为20V, 连续漏极电流为-4A,具有36mΩ@-4.5V超低的RDS,有助于减小在开关过程中的损耗和压降,提高电路的效率。另外,适用于PWM应用的国产MOSFET管-NCE3415,其P—Channel设计使其在特定场合下能够提供高效的电源控制。
NCE3415主要参数:
- VDS = -20V,ID =-4A, Pd=1.4W
- RDS(ON)<36mΩ@VGS=-4.5V
- RDS(ON)<49mΩ@VGS=-2.5V
- ESD额定值: 2500V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
NCE3415用途:
- PWM应用:
PWM(脉冲宽度调制)是一种模拟控制方式,可以根据载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,实现晶体管或MOS管导通时间的改变,从而改变开关稳压电源的输出。这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定,是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术,广泛应用于从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。PWM技术的基本原理就是通过调整一个周期固定的方波的占空比,来调节输出的平均电压、电流或功率等被控量。
- 负载开关:
负载开关可以容易地用MOSFET实现,MOSFET将电流从电源传递到负载,并通过控制信号接通或断开。将控制信号提供给MOSFET的栅极驱动电路以接通或断开MOSFET。实际硬件电路中,经常会有一些设备的供电控制,尤其是进行大功率负载的上电与断电控制,可以采用NCE3415MOS管作为开关进行控制。
NCE3415采购信息:
- 封装:SOT-23;
- 包装方式:Ø180mm编带包装:
- 最小包装量:3k/盘
南山电子仓库现货超过200k,可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务,欢迎咨询选购NCE3415MOS管,如需该产品详细的规格书请咨询南山半导体官方网站在线客服。