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新洁能NCE2305 - P沟道增强型功率MOSFET选型资料/样品免费申请
NCE2305是一款由无锡新洁能半导体有限公司生产的P沟道增强型功率MOSFET。其采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON) < 60mΩ @ VGS=-2.5V),低栅极电荷和低至2.5V的栅极工作电压,便于控制和降低驱动成本。工作温度范围为-55℃至+150℃。这款新洁能NCE2305 - P沟道增强型功率MOSFET适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的各种电子设备和模块,尤其是在低电压和低功耗要求的领域。
NCE2305主要参数:
- VDS = -20V,ID = -4.1A
- RDS(ON)<45mΩ@VGS=-4.5V
- RDS(ON)<60mΩ@VGS=-2.5V
- RDS(ON)<90mΩ@VGS=-1.8V
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装
- 无铅终端镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
NCE2305用途:
- PWM应用:
PWM代表脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation),是一种常用的调节技术,用于控制模拟电子设备中的电压或功率。在PWM中,数字信号被转换为脉冲信号,通过调节脉冲信号的宽度(占空比)来控制输出信号的平均功率。MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大,将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。 - 负载开关:
P沟道的功率MOSFET由于驱动电路设计简单,因此广泛的应用于负载开关电路,从而控制负载通断、调整上电时序以及限制开通电流等作用。 - 电源管理:
在任何电子设计中,MOS管经常被用来控制电源的开关。MOS管以其高输入阻抗、低导通电阻和快速开关速度等特性,在电源管理、电机驱动、信号放大等领域有着广泛的应用。MOS管在电源管理电路中通过高效的电流控制能力和低导通电阻,可以有效减少能量损耗,提高整体系统的效率。
NCE2305采购信息:
- 封装:SOT-23;
- 包装方式:Ø180mm编带包装:
- 最小包装量:3k/盘
南山电子是新洁能公司授权代理商,欢迎咨询选购NCE2305 MOS管。如需了解该产品详细信息,请联系我们18251882769(唐经理)或者联系网站客服。