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新洁能NCE2305 - P沟道增强型功率MOSFET选型资料/样品免费申请

发布时间：2024-10-24 品牌：新洁能(NCE) 浏览量：400

NCE2305是一款由无锡新洁能半导体有限公司生产的P沟道增强型功率MOSFET。其采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(ON) < 60mΩ @ VGS=-2.5V），低栅极电荷和低至2.5V的栅极工作电压，便于控制和降低驱动成本。工作温度范围为-55℃至+150℃。这款新洁能NCE2305 - P沟道增强型功率MOSFET适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的各种电子设备和模块，尤其是在低电压和低功耗要求的领域。

NCE2305主要参数：

VDS = -20V,ID = -4.1A
RDS（ON）<45mΩ@VGS=-4.5V
RDS（ON）<60mΩ@VGS=-2.5V
RDS（ON）<90mΩ@VGS=-1.8V
高功率和电流处理能力
表面贴装封装
无铅终端镀层
符合RoHS标准
无卤素

NCE2305用途：

PWM应用:
PWM代表脉冲宽度调制（Pulse Width Modulation），是一种常用的调节技术，用于控制模拟电子设备中的电压或功率。在PWM中，数字信号被转换为脉冲信号，通过调节脉冲信号的宽度（占空比）来控制输出信号的平均功率。MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。
负载开关:
P沟道的功率MOSFET由于驱动电路设计简单，因此广泛的应用于负载开关电路，从而控制负载通断、调整上电时序以及限制开通电流等作用。
电源管理:
在任何电子设计中，MOS管经常被用来控制电源的开关。MOS管以其高输入阻抗、低导通电阻和快速开关速度等特性，在电源管理、电机驱动、信号放大等领域有着广泛的应用。MOS管在电源管理电路中通过高效的电流控制能力和低导通电阻，可以有效减少能量损耗，提高整体系统的效率。