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国产P沟道MOS管——新洁能NCE60P04R参数规格与应用分析

发布时间：2024-10-30 品牌：新洁能(NCE) 浏览量：669

作为一种经典MOS管类型，P沟道MOS管的特点通常包括高输入阻抗和低输出阻抗，可以实现电路信号的放大和调节。由于其灵敏度高、响应速度快，因此可以在高频率下使用。相对于其他类型的场效应管，P沟道MOS管在开关电路中具有较低的电压漂移和噪声水平。这些特点使得P沟道MOS管在电子领域中有其独特的应用价值，尤其是在需要高频率响应和低噪声的场合。

南山电子代理品牌新洁能（NCE）推出的NCE60P04R是一款P沟道增强型功率MOS管，其VDS（漏源电压）为-60V和ID（漏极电流）为-4.3A，具有优异的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。国产P沟道MOS管——新洁能NCE60P04R采用SOT-223-3L封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适用于负载开关或PWM等应用。

NCE60P04R主要参数：

VDS =-60V,ID =-4.3A,PD=3.1W
RDS（ON）<120mΩ@VGS=-10V
RDS（ON）<170mΩ@VGS=-4.5V
超低Rdson的高密度单元设计
完全特征化的雪崩电压和电流
出色的封装有利于散热

NCE60P04R用途：

负载开关:
负载开关是一个集成的电子继电器，内部用一个开关来连接和断开系统电源轨。类似于闸刀，同时，集成了很多辅助保护功能。内部集成的这个开关，可以是N沟道MOS管，也可以是P沟道MOS管。不同类型的管子，导致系统结构不同，通常用PMOS管通常功耗会低一点。 NCE60P04RMOS管作为一款高性能P沟道MOS管，非常适用于负载开关。
PWM应用:
PWM是一种控制技术，通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。而P沟道MOS管作为一种场效应晶体管，其导电沟道在P型半导体材料中。在电机驱动等应用中，PWM和P沟道MOS管可以配合使用，通过PWM信号控制P沟道MOS管的通断，从而实现对电机驱动的控制。其原理是通过PWM信号控制P沟道MOS管的通断，从而实现对电机驱动的控制。PWM信号的频率应与P沟道MOS管的开关时间相匹配，以达到最佳的控制效果。