新洁能30-100V P沟道第一代屏蔽栅沟槽型场效应管（P-Channel SGT-I MOSFET）系列产品介绍

SGT MOSFET，即屏蔽栅沟槽型场效应管，又称“Super Trench MOSFET”，是在传统沟槽型场效应管的基础上发展而来的一种新型功率半导体器件。上篇文章-新洁能12-150V P沟道沟槽型场效应管（P-Channel Trench MOSFET）系列产品介绍中，讲述的是新洁能P沟道传统沟槽型场效应管，今天给大家介绍一下新洁能30-100V P沟道第一代屏蔽栅沟槽型场效应管（P-Channel SGT-I MOSFET）系列产品。

新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。基于SGT-I技术的-30~-100V P沟道功率产品提供超低的导通电阻（RDS(on)），为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下，还进一步提高了系统效率与性能。广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。P沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供解决方案。

产品特点:

P沟道增强型功率MOSFET系统成本低，设计难度低。此类型的MOSFET在降低系统设计复杂度上有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率MOSFET成为高端开关的理想选择。P沟道功率MOSFET产品的选用可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，为设计人员提供了一种新的选择。此外，P沟道功率MOSFET产品利用空穴作为载流子进行导电，其迁移率低于N沟道功率MOSFET中的载流子电子，同等情况下，P沟道功率MOSFET产品导电性能弱于N沟道功率MOSFET产品。

SGT MOSFET及其优势:

• 提升功率密度:
  SGT工艺比普通沟槽工艺挖掘深度深3-5倍。在栅电极下方增加了一块多晶硅电极，即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用，减小了米勒电容以及栅电荷，器件的开关速度得以加快，开关损耗低。同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，与普通沟槽式MOSFET相比，SGT MOSFET的内阻要低2倍以上。
• 极低的开关损耗：
  SGT工艺相对传统Trench结构，具有低Qg 的特点，它的技术革新改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场变更为梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)，有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。
• 更好的EMI优势和抗雪崩EAS能力:
  由于SGT MOSFET具有较深的沟槽深度，可以利用更多的晶硅体积来吸收EAS能量，所以SGT在雪崩时性能更强，更能承受雪崩击穿和浪涌电流。同时SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡，具有更好的EMI特性。

产品应用：

• 电池保护：30-100V P-Channel SGT-I MOSFET用于电池保护电路中，以防止电池的过充或过放电。
• 负载开关：在负载开关电路中，30-100V P-Channel SGT-I MOSFET用于控制后级负载的电源开关。这种开关电路可以通过数字I/O引脚进行控制，具有简单且高效的特点。
• 电机控制：在电机控制电路中，30-100V P-Channel SGT-I MOSFET作为电机的驱动器件，调节电压的变化，控制电机的启停和转速。
• 低压驱动：30-100V P-Channel SGT-I MOSFET可应用在低压驱动中特别是在需要低导通阻抗和低电压降的场合。例如，在电源管理中，用于实现高效的电源开关控制，从而优化电源效率。

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