新洁能30-120V N沟道SGT-II系列功率MOSFET 产品介绍（第二代屏蔽栅沟槽NMOS管）

新洁能SGT-II系列功率MOSFET是一种基于屏蔽栅沟槽技术的中低压功率MOSFET，相比于新洁能上一代SGT-I系列产品，SGT-II系列产品特征导通电阻Ron,sp 降低20%，FOM值进降低20%，为设计人员进一步提高系统效率提供了更优的选择。上篇文章 - 新洁能30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品介绍中，阐述了关于新洁能上一代SGT-I系列产品，大家感兴趣可以点击浏览。今天我们来介绍新洁能SGT-II系列 - 新洁能30-120V N沟道SGT-II系列功率MOSFET 产品。

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品具有超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密度与能量转换效率。同时，面向性能与鲁棒性要求极为苛刻的低频应用，新洁能N沟道SGT-II系列产品进一步优化了大电流关断能力与静电防护能力。N沟道SGT-II系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装，为设计人员定制化提供更加丰富灵活的选择。

注："SGT MOSFET"又称“Super Trench MOSFET”。

产品特点:

• 超低导通电阻：SGT-II系列功率MOSFET具有超低的导通电阻（RDS(on)），这减少了能量损耗，提高系统的功率密度与能量转换效率。
• 超低栅极电荷：SGT-II系列功率MOSFET具有超低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度和降低能量损耗。
• 大电流关断能力强： SGT-II系列功率MOSFET具备大电流快速关断的能力，可以在高电流条件下也能迅速关断，从而保护电路。
• 静电防护能力强：SGT-II系列功率MOSFET在静电防护方面表现出色，能够有效防止静电击穿。通常，MOSFET对静电非常敏感，但通过在栅极和源极之间增加ESD保护器，可以提高其静电防护能力。

产品应用:

• 直流电机驱动: SGT-II系列功率MOSFET作为开关器件，广泛应用于电机驱动系统中。其结构具有电荷耦合效应，能够提高系统的效能和功率密度，特别是在低频应用中表现优异。这种特性使得SGT-II系列功率MOSFET非常适合用于直流电机驱动，它可以有效地控制电机的开关，从而提高电机的效率和响应速度。
• 锂电池保护: 锂电池保护通常涉及对电池电压和电流的实时监控，以防止过充、过放或短路等危险情况的发生。SGT-II系列功率MOSFET由于其超低导通电阻（RDS(ON)）和超低栅极电荷（Qg），在锂电池保护电路中可以提供高效的保护功能。
• AC/DC同步整流: SGT-II系列功率MOSFET由于其优异的导通特性和低导通电阻，非常适合用于AC/DC同步整流应用中，特别是在需要高效率和高功率密度的场景中。其显著提高DC/DC变换器的效率，并且避免了由肖特基势垒电压造成的死区电压问题。

新洁能30-120V N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品能够满足多种不同应用领域的需求，其具体应用于电视、通信交换器和路由器、手持式电动工具、空气净化器、电池管理、控制器、启停器、吸尘器、5G电源、转换器、车载逆变器、电控、基站电源、医疗设备、扫地机器人等。

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