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应用于高侧开关的P沟道MOSFET：新洁能 NCE60P25K MOS管规格参数/免费样品/最新价格
高侧开关就是负载是接地的，开关相对于负载处于高电位。在实际应用中，NMOS作为高侧开关虽然性能较好，但需要额外的栅极驱动IC，这使得电路复杂度和成本增加。相比之下，PMOS作为高侧开关则更便于控制，对于开通速度、导通内阻、过电流能力无细致需求的场合，PMOS无疑是做开关的较好选择。
近年来随着MOS工艺的升级，PMOS的参数还是较NMOS差，但导通内阻<10m欧的PMOS型号越来越多了，今天就给大家推荐一款应用于高侧开关的P沟道MOSFET：新洁能 NCE60P25K MOS管，作为PMOS管，其不用电荷泵驱动，简单方便，还降低成本。
NCE60P25K做高侧开关的电路:
下图是NCE60P25K做高侧开关的电路，CONTROL为控制信号，电平范围为0~VCC。 CONTROL为0V时，Vgs<导通阀值，PMOS开通，负载工作。 CONTROL为VCC时，Vgs>导通阀值，PMOS关断，负载停机。
注意上图这里的输入信号 CONTROL，其低电平要保证Vgs能使NCE60P25K开通；又要限制Vgs不能小于手册上的最小允许电压，以避免NCE60P25K损坏。
NCE60P25K主要参数:
- 漏源电压（Vds）：-60V
- 导通电阻（RDS（on））：＜45mΩ @ VGS=-10V
- 栅极电压（Vgs）：±20V
- 连续漏极电流（Id）：-25A
- 脉冲漏极电流（IDM）：-60A
- 功率（Pd）：90W
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：300mJ
- 工作温度范围：-55℃~+150℃
NCE60P25K作为高侧开关的应用优势：
- 低导通电阻（RDS(ON)） ：NCE60P25K的导通电阻比较低，这意味着在开关过程中产生的功率损耗较小，从而提高了系统的整体能效。
- 高电流承载能力：NCE60P25K持续漏极电流（Id）为25A，表明它能解决较大的电流，适用高负载电子电路。
- 高密度电池设计和低栅极电荷：NCE60P25K采用高密度电池设计，进一步降低了导通电阻，并且具有较低的栅极电荷，这使得其在高侧开关电路中更加高效。
- 良好的热性能和封装设计：NCE60P25K采用TO-252封装，具有良好的散热性能，这对于高侧开关在长时间运行下的稳定性和可靠性至关重要。
- 适用于高压环境：NCE60P25K的漏源电压高达60V，使其能够应对中高压电子应用中的电压需求。这种特性使其在汽车电子、工业控制等领域中具有广泛的应用前景。
此外，NCE60P25K不仅适用于高侧开关，还可以用于DC/DC转换器、信号放大与处理电路等多种应用场景，非常适合高电流负载应用，在多种电子设计中表现出色，是一款多功能性和高性能的P沟道MOSFET。
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