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适用于DC-DC转换器的MOS管：新洁能NCEP60T18场效应管
对于DC-DC转换器的效率提升，需要有低电压、大电流的MOS管来优化代换。同步整流技术通过使用具有低导通电阻的功率MOSFET来取代传统的整流二极管，从而显著降低整流损耗，提升产品效率。性能优秀的场效应管能够提升DC-DC转换器的效率进而提升产品质量，今天给大家推荐一款适用于DC-DC转换器的MOS管：新洁能NCEP60T18场效应管，其良好的制作工艺与参数性能能给DC-DC转换器做更好的适配，保障产品的可靠性。
NCEP60T18采用了超级沟槽技术，这种技术经过独特优化，能够提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的组合极低，因此导通和开关功率损耗都得到了最小化。这款器件非常适合DC/DC转换器，高频开关和同步整流应用。
NCEP60T18主要参数:
- 漏源电压（Vds）：60V
- 导通电阻（RDS（on））：＜3.2mΩ @ VGS=-10V（典型值：2.8 mΩ）
- 栅极电压（Vgs）：±20V
- 连续漏极电流（Id）：180A
- 脉冲漏极电流（IDM）：720A
- 功率（Pd）：2200W
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：1036mJ
- 工作温度范围：-55℃~+175℃
NCEP60T18在DC-DC转换器中的应用优势：
- 极低的导通电阻：NCEP60T18因其采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通电阻，这可以显著降低导通损耗，使得转换器的效率得到提升。
- 低栅极电荷：栅极电荷是MOSFET等功率器件的重要参数之一，它直接影响到器件的开关速度和损耗。NCEP60T18的栅极电荷低，意味着在驱动MOSFET时所需的能量较少，从而可以降低驱动电路的功耗，提高整体系统的能效。
- 快速的开关能力：在 DC-DC 转换器中，需要频繁地进行开关操作，NCE60P82AK凭借出色的导通电阻（RDS(on)）与品质因子（FOM，RDS(on)×Qg）可实现快速硬开关，大幅度增强了应用效率，成为DC-DC 转换器的完美解决方案。
- 高性价比：作为N沟道SGT-I系列功率MOSFET 产品，NCEP60T18以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。
- 出色的封装：NCEP60T18的TO-220-3L封装采用金属外壳设计，具有良好的散热能力，能够有效降低器件工作时的温度，从而提高整体系统的稳定性和可靠性。这对于需要高功率输出的DC-DC转换器尤为重要。
南山电子是新洁能公司授权代理商，欢迎咨询选购DC-DC转换器的常用型NCEP60T18 MOS管，了解产品最新价格及库存请联系我们18251882769（唐经理）或者联系网站客服。
新洁能30-50V N沟道SGT-I MOSFET产品型号推荐：
| NCEP30T22GU | NCEP30T13GU | NCEP4045GU | NCEP40T17G |
| NCEP40T15AK | NCEP30T15GU | NCEP4085EG | NCEP40T17AG |
| NCEP40T16LL | NCEP30T17GU | NCEP4090GU | NCEP40T19GU |
| NCEP40T20ASL | NCEP30T17G | NCEP4090AGU | NCEP40T20GU |
| NCEP4075GU | NCEP30T19G | NCEP40T11AG | NCEP4040Q |
| NCEP4075AGU | NCEP30T21GU | NCEP40T11G | NCEP4060EQ |
| NCEP40T14A | NCEP3040Q | NCEP40T12GU | NCEP4065QU |
| NCEP40T11A | NCEP3060EQ | NCEP40T12AGU | NCEP40T11K |
| NCEP40T35LL | NCEP3065QU | NCEP40T13AGU | NCEP40T20ALL |
| NCEP3045GU | NCEP3065BQU | NCEP40T13GU | NCEP40T35ALL |
| NCEP3045BGU | NCEP40T11 | NCEP40T14G | NCEP40T17AT |
| NCEP3085EG | NCEP40T15A | NCEP40T15GU | NCEP40T20AGU |
| NCEP3090GU | NCEP40T17A | NCEP40T15AGU | NCEP40T17AD |
| NCEP30T12G | NCEP40T20A | NCEP40T15G | NCEP40T11AK |
| NCEP40T35AVD |
