南山电子代理品牌新洁能（NCE）是国内MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）品类最齐全且产品技术领先的公司，公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。以下是新洁能12-300V N沟道MOSFET系列产品介绍，如需选型支持和小批量样品，可以联系南山半导体官方网站在线客服索取。
12-200V N-Channel Trench MOSFET:
- 技术特点：采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等并持续推进产品迭代。
- 应用领域：广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。
- 封装形式：包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等多种封装形式。
| 12-200V N-Channel Trench MOSFET热销型号推荐 |
| NCE0104S |
NCE3404 |
NCE6008AS |
NCE0103M |
| NCE0157G |
NCE3404Y |
NCE6009AS |
NCE0103Y |
| NCE0105M |
NCE3400A |
NCE6010J |
NCE0104AN |
| NCE8295A |
NCE3400AY |
NCE6012AS |
NCE0106Z |
| NCE3030Q |
NCE3400 |
NCE6012CS |
NCE0106R |
30-250V N-Channel SGT-I MOSFET:
- 技术特点：以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。凭借出色的导通电阻（RDS(on)）与品质因子（FOM，RDS(on)×Qg）可实现快速硬开关，大幅度增强了应用效率。
- 应用领域：广泛应用于开关电源（SMPS）中的同步整流、DC电机控制、太阳能微型逆变器、电信及服务器电源以及不间断电源（UPS）等领域。
- 封装形式：包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装形式。
| 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET热销型号推荐 |
| NCEP025F90D |
NCEP40T11K |
NCEP8814S |
NCEP12T18 |
| NCEP30T22GU |
NCEP40T20ALL |
NCEP8814AS |
NCEP12T12D |
| NCEP1545A |
NCEP40T35ALL |
NCEP8818AS |
NCEP1250AK |
| NCEP019N10T |
NCEP40T17AT |
NCEP85T25T |
NCEP1290AK |
| NCEP40T15AK |
NCEP40T20AGU |
NCEP85T30T |
NCEP1212AS |
30-120V N-Channel SGT-II MOSFET:
- 技术特点：具有超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密度与能量转换效率。相比于新洁能上一代SGT-I系列产品，SGT-II系列产品特征导通电阻Ron,sp 降低20%，FOM值进降低20%，为设计人员进一步提高系统效率提供了更优的选择。
- 应用领域：广泛应用于直流电机驱动、锂电池保护、AC/DC同步整流等领域。
- 封装形式：包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装形式。
| 30-120V N-Channel SGT-II MOSFET热销型号推荐 |
| NCEP050N10MG |
NCEP033N85M |
NCEP039N10 |
NCEP085N10AS |
| NCEP25ND10AG |
NCEP031N85M |
NCEP039N10M |
NCEP082N10AS |
| NCEP045N85 |
NCEP028N85 |
NCEP035N10 |
NCEP25N10AR |
| NCEP050N10MD |
NCEP028N85M |
NCEP035N10M |
NCEP18N10AR |
| NCEP018N10LL |
NCEP026N85 |
NCEP033N10 |
NCEP080N10F |
30-250V N-Channel SGT-III MOSFET:
- 技术特点：相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足客户更高能效、更高可靠性的需求，产品性能及竞争力进一步提升。
- 应用领域：广泛应用于电源管理和电机控制等领域。
- 封装形式：包括TO-220、TO-247、TO-263、TOLL、DFN 3*3、DFN 5*6、DFN5*6等多种封装形式。
| 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET热销型号推荐 |
| NCEP008NH40GU |
NCEP088NH150GU |
NCEP015NH30AQU |
NCEP055NH40GU |
| NCEP023NH30GU |
NCEP008NH40ASL |
NCEP015NH30GU |
NCEP055NH40AGU |
| NCEP040NH150LL |
NCEP018NH30QU |
NCEP015NH30AGU |
NCEP011NH40GU |
| NCEP011NH25QU |
NCEP023NH85GU |
NCEP015NH100LL |
NCEP015NH40GU |
| NCEP048NH150T |
NCEP014NH60GU |
NCEP058NH150 |
NCEP011NH40AGU |
