新洁能（NCE）是一家国内领先的功率半导体企业，专注于MOSFET和IGBT等产品的研发和生产。公司产品线非常丰富，涵盖了从低电压到高电压的各类MOSFET产品，包括N沟道、P沟道以及N+P沟道MOSFET。以下是新洁能授权代理商/经销商-南山电子整理的新洁能12-150V P沟道MOSFET系列产品介绍, 并为该系列型号快速提供小批量样品和最新价格报价，欢迎通过南山电子官网在线咨询或致电400-888-5058。
12-150V P-Channel Trench MOSFET:
- 技术特点：采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等并持续推进产品迭代，以丰富的产品系列、业内先进的参数性能与优异的可靠性成为行业标杆。
- 应用领域：广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。
- 封装形式：包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等多种封装形式。
| 12-150V P-Channel Trench MOSFET热销型号推荐 |
| NCE2305A |
NCE30P15AS |
NCE60P09S |
NCE1216 |
| NCE2333Y |
NCE30P16Q |
NCE60P09AS |
NCE30P15S |
| NCE12P09S |
NCE30P20Q |
NCE60P10K |
NCE60P17AQ |
| NCE2301C |
NCE30P25Q |
NCE60P12AS |
NCE3401BY |
| NCE2301A |
NCE30P25S |
NCE60P12K |
NCE3401E |
30-100V P-Channel SGT-I MOSFET:
- 技术特点：P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率MOSFET成为高端开关的理想选择。P沟道功率MOSFET产品的选用可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，为设计人员提供了一种新的选择。此外，P沟道功率MOSFET产品利用空穴作为载流子进行导电，其迁移率低于N沟道功率MOSFET中的载流子电子，同等情况下，P沟道功率MOSFET产品导电性能弱于N沟道功率MOSFET产品。新洁能基于SGT-I技术的-30~-100V P沟道功率产品提供超低的导通电阻（RDS(on)），为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下，进一步提高系统效率与性能。
- 应用领域：广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等领域。
- 封装形式：包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式。
| 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET热销型号推荐 |
| NCEP30P90G |
NCEP50P80A |
NCEP40P65GU |
NCEP40PT13D |
| NCEP30PT16G |
NCEP50P80AK |
NCEP40P65QU |
NCEP40PT13GU |
| NCEP30P90K |
NCEP01P35AK |
NCEP01P35AG |
NCEP15P30A |
| NCEP40P80D |
NCEP01P35A |
NCEP40P30K |
NCEP40PT30VD |
| NCEP40PT15D |
NCEP01P40AGU |
NCEP40P30Q |
NCEP15P30AK |
