超结技术是一种创新的半导体结构，通过优化电荷分布来降低导通电阻，同时保持高击穿电压，新洁能是国内率先掌握超结理论技术并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一。以下是新洁能代理商南山电子整理的新洁能500-1050V N沟道超结MOSFET系列产品介绍，如需选型支持和小批量样品请联系我们18251882769（唐经理）或者联系网站客服。
500-800V N-Channel SJ-III MOSFET:
- 技术特点：良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。同时，新洁能SJ-III系列产品提供雪崩耐量（EAS）以及静电释放能力，提高了系统可靠性。此外，该系列产品采用新洁能自主创新技术，优化了产品开关特性，使其在系统应用时具有更好的EMI表现。
- 应用领域：广泛应用于家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等各个领域。
- 封装形式：包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等多种封装形式。
| 500-800V N-Channel SJ-III MOSFET热销型号推荐 |
| NCE60T2K2I |
NCE65T540D |
NCE70T1K2I |
NCE70T360K |
| NCE60T2K2K |
NCE65T540 |
NCE70T1K2K |
NCE70T360I |
| NCE60T1K6I |
NCE65T540F |
NCE70T1K2F |
NCE70T260 |
| NCE60T1K6K |
NCE65T360K |
NCE70T1K2R |
NCE70T260F |
| NCE65T2K4I |
NCE65T360I |
NCE70T900K |
NCE70T260I |
600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET:
- 技术特点：基于新洁能在SJ-III技术基础上，在保证良好的导通电阻、极低栅电荷以及出色的开关速度前提下，增强了超结产品的体二极管反向恢复特性，综合优化了超结产品由于体二极管反向恢复带来的损耗以及可靠性问题。
- 应用领域：广泛应用于全桥、半桥、LLC谐振开关应用等领域。
- 封装形式：包括TO-220、TO-263、TO-252、TO-247等多种封装形式。
| 600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET热销型号推荐 |
| NCE65TF360K |
NCE65TF260D |
NCE65TF068T |
NCE65TF130F |
| NCE65TF360 |
NCE65TF260T |
NCE65TF041T |
NCE65TF099T |
| NCE65TF360F |
NCE65TF180D |
NCE65TF078T |
NCE65TF099D |
| NCE65TF360D |
NCE65TF180 |
NCE65TF130T |
NCE65TF099 |
| NCE65TF260 |
NCE65TF180T |
NCE65TF130 |
NCE65TF099F |
| NCE65TF260F |
NCE65TF180F |
NCE65TF130D |
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500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET:
- 技术特点：采用第四代技术超结技术的产品，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体积下提供更高的功率密度、更低的功耗与更高的效率。此外，针对快速开关电路，新洁能第四代超结特别优化了开关性能，提供了更加稳健的开关特性，更好的EMI表现，为系统设计提供更大设计裕量。同时该系列产品还提供良好的抗静电能力，为设计人员提供更加可靠的系统稳定性。
- 应用领域：广泛应用于家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。
- 封装形式：包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等多种封装形式。
| 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET热销型号推荐 |
| NCE50N1K8D |
NCE65N230I |
NCE70N220 |
NCE65N180 |
| NCE50N1K8F |
NCE65N260I |
NCE70N220D |
NCE65N180D |
| NCE50N1K8R |
NCE65N290 |
NCE70N220I |
NCE65N180F |
| NCE60N2K1R |
NCE65N290D |
NCE70N220K |
NCE65N180T |
| NCE60N2K1F |
NCE65N290I |
NCE50N2K2K |
NCE65N900K |
500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET:
- 技术特点：基于新洁能SJ-IV技术的基础上，在保证业界先进的超低特征导通电阻的前提下，特别优化了体二极管特性，减小反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（Trr），大幅度提升了产品的反向恢复速度与反向恢复损耗。相比于新洁能SJ-IV产品，可以为设计人员提供更低的系统总损耗，更高的系统可靠性，以及更大的EMC裕量。
- 应用领域：广泛应用于LLC等桥式电路等领域。
- 封装形式：包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等多种封装形式。
| 500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET热销型号推荐 |
| NCE60NF160K |
NCE60NF260 |
NCE50NF330I |
NCE60NF055T |
| NCE60NF160T |
NCE60NF260D |
NCE50NF330F |
NCE60NF055D |
| NCE60NF160V |
NCE60NF260I |
NCE50NF220K |
NCE60NF730I |
| NCE60NF200 |
NCE60NF420 |
NCE50NF220D |
NCE60NF730F |
| NCE60NF200D |
NCE60NF420D |
NCE50NF220F |
NCE60NF730D |
