新洁能提供的12V~300V NP MOSFET系列产品，采用了先进的工艺制造技术和优化的器件结构，结合了N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的优点，具有出色的电气性能和广泛的应用领域。南山电子是新洁能公司授权代理商，仓库现货超过200k，可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务，以下是新洁能12-300V NP MOSFET系列产品介绍, 如需选型支持可以联系南山半导体官方网站在线客服。
Complementary MOSFET:
- 技术特点：12V~100V Complementary（N、P型互补式）MOSFET产品，是通过将P型与N型Trench功率MOSFET产品分别以高、低边互补配置的方式集成至单个封装中，极大程度上优化了产品封装结构。该类Complementary MOSFET产品不仅能够提高设计人员的设计效率，同时也优化的系统结构。基于紧凑型的封装形式，可以为设计人员提供成本优化且更加可靠的解决方案。
- 应用领域：广泛应用于DC-DC转换、电机控制以及电池管理系统等各个领域。
- 封装形式：包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等多种封装形式。
| Complementary MOSFET热销型号推荐 |
| NCE1205 |
NCE4606B |
NCE603S |
NCE60NP4035K |
| NCE2003 |
NCE30NP1812Q |
NCE4688 |
NCE60NP2016G |
| NCE20NP1006S |
NCE30NP1812K |
NCE60NP2012K |
NCE60NP1515K |
| NCE6602N |
NCE30D2519K |
NCE01NP03S |
NCE60NP09S |
| NCE4503S |
NCE30NP4030G |
NCE4606 |
NCE30NP1812G |
Dual N and P-Channel MOSFET:
- 技术特点：P型20V~60V 和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结构，为设计人员简化电路，提高系统功率密度提供新的选项。该双芯功率MOSFET产品主要采用Trench以及SGT技术，设计人员可以根据实际应用需求选择。
- 应用领域：广泛应用于电池管理、电机驱动以及负载开关等领域。
- 封装形式：包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等多种封装形式。
| Dual N and P-Channel MOSFET热销型号推荐 |
| NCE40ND0812S |
NCE1230SP |
NCE2006NE* |
NCE30ND35Q |
| NCE20ND08U |
NCE18ND11U* |
NCE2008N |
NCE40ND0812S |
| NCE20ND15Q |
NCE8205i |
NCE8804* |
NCEP40ND80G |
| NCE40ND25Q |
NCE8205t |
NCE8651Q* |
NCE6005AS |
| NCE55P04S |
NCE8205B |
NCE4618SP* |
NCE60ND09AS |
Half-bridge N-Channel MOSFET:
- 技术特点：N30V的半桥功率MOSFET产品，是通过将两个N型功率MOSEFT产品以高、低边的串联的方式集成至单个封装中。半桥产品可以简化系统复杂度，减少系统寄生参数，从而优化系统设计效率以及可靠性。该双芯功率MOSFET产品主要采用Trench以及SGT技术，设计人员可以根据实际应用需求选择。
- 应用领域：广泛应用于半桥驱动等领域。
- 封装形式：包括DFN3*3、DFN5*6等多种封装形式。
| Half-bridge N-Channel MOSFET热销型号推荐 |
| NCEPB302G |
NCEPB303GU |
NCEB301Q |
NCEB301G |
