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新洁能SiC MOSFET系列产品NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4

发布时间：2024-12-06 品牌：新洁能(NCE) 浏览量：136

SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。南山电子代理品牌新洁能（NCE）在目前已开发完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品已通过客户验证，并实现小规模销售；并已开发更多的第三代半导体芯片代工厂，相关产品已实现工程产出。新洁能SiC MOSFET系列产品具体型号为：NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4，以下为详细介绍：

技术特点:

电流密度大：新洁能SiC MOSFET能够承受更大的电流密度，即单位面积上可以通过更大的电流，这使得其在相同体积下能够提供更高的输出功率。
击穿电压高：新洁能SiC MOSFET的击穿电压远高于传统的硅基MOSFET。SiC材料的击穿电场强度是硅的10倍，因此SiC MOSFET可以承受更高的电压，适合于高电压应用场合。
损耗低：一般来说，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比。因此，在相似的功率水平下，SiC器件的传导损耗比Si器件小得多。
短路能力优良：新洁能SiC MOSFET具有优良的短路能力，为应用中的突发状况提供充足的裕量。
超低开关损耗：带有额外的开尔文引脚的TO-247-4P封装可以绕过控制回路上的源极引线电感，降低SiC MOSFET的寄生效应并进一步降低器件的开关损耗。

主要参数:

产品型号	封装	BVDSS(V)	ID(A)	QG(nC)	PD(W)
NCES120R062T4	TO-247-4L	1200	26	64	115
NCES120R036T4		1200	50	92	235
NCES075R026T4		750	56	94	176
NCES075R026T		750	56	94	176
NCES120R018T4		1200	81	174	312
NCES120P075T4		1200	36	60	146
NCES120P035T4		1200	66	150	278

应用领域:

光伏逆变器：新洁能SiC MOSFET在光伏逆变器中普遍使用，使用基于SiC MOSFET的光伏逆变器，转换效率可以从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上。并且SiC MOSFET能够在高温等恶劣环境中工作，有利于提高光伏逆变器的使用寿命。
充电桩：在电动车充电桩中，新洁能SiC MOSFET产品用于直流快充的功率逆变器和 DC/DC 转换器等电路中，能够实现高效率和高频率的电能转换，提供更快的充电速度。
基站电源：新洁能SiC MOSFET具有低导通电阻和高温工作能力，使其在高温环境下依然能够保持稳定运行，这对于基站等需要在高温环境中工作的设备尤为重要。

南山电子是新洁能公司授权代理商，仓库现货超过200k，可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务，欢迎咨询选购新洁能SiC MOSFET系列产品，如需了解产品最新报价请咨询南山半导体官方网站在线客服。