最新上架
更多- 君耀瞬态电压抑制TVS管3KP系列与3KP-AT系列对比介绍
- 风华高科0805封装高精度低温漂TD05G系列薄膜电阻选型资料
- 风华高科0805封装高精度低温漂TD05G系列薄膜电阻选型资料
- 星海SMCJ系列TVS二极管：安防设备的“硬核保护伞”
- 新洁能NCE55P30K：让空气检测仪“芯”动，守护每一次呼吸
- 基美CBR06C系列——面向射频与微波应用的0603超稳定MLCC
- 立隆电子VZH331M系列105℃长寿命330μF低阻抗贴片铝电解电容器解析
- 国巨AS1206系列抗浪涌厚膜电阻——从系列一眼看懂“7T、7W、07、JR、FR”
- 麦斯塔MST8011AI-12系列晶振：光模块通信的“同步引擎”
- “泵”出新高度：力芯微升压电荷泵ET1202、ET2110震撼来袭
新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品介绍
SGT技术本身是一种先进的制造工艺，通过减小场效应晶体管的寄生电容及导通电阻，提升了芯片性能，并减少了芯片面积。与传统的沟槽型MOSFET相比，SGT技术能够在相同功耗下将芯片面积减少40%甚至更多。之前有相关文章介绍了新洁能N沟道SGT-I和SGT-II系列产品，今天来介绍新洁能新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品。
产品特点:
- 导通电阻降低：相比于上一代产品，SGT-Ⅲ系列MOSFET的特征导通电阻降低了20%以上。
- 开关特性优良：该MOSFET具有超低栅极电荷和大电流关断能力强的特点，能够实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。
- 抗冲击能力强：新洁能的Super Trench技术提升了MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量短路能力提升：短路能力也提升了10%以上，进一步增强了产品的性能和竞争力。
- EMI特优化性：第三代产品具有更优的电磁干扰（EMI）特性，可以更好地应对电磁干扰问题。
| 30-250V N沟道SGT-III MOSFET产品列表 | |||
|---|---|---|---|
| NCEP008NH40GU | NCEP088NH150GU | NCEP015NH30AQU | NCEP055NH40GU |
| NCEP023NH30GU | NCEP008NH40ASL | NCEP015NH30GU | NCEP055NH40AGU |
| NCEP040NH150LL | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30AGU | NCEP011NH40GU |
| NCEP011NH25QU | NCEP023NH85GU | NCEP015NH100LL | NCEP015NH40GU |
| NCEP048NH150T | NCEP014NH60GU | NCEP058NH150 | NCEP011NH40AGU |
产品应用:
- 电源管理：广泛于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用，以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。
- 电机控制：适用于高功率电机控制，如电动机驱动器、工业自动化设备、大型电机和电机保护电路。
南山电子是新洁能公司授权代理商，仓库现货超过200k，可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务，欢迎咨询选购新洁能新一代屏蔽栅沟槽型功率MOS管-新洁能30-250V N沟道SGT-Ⅲ MOSFET系列产品，如需产品最新价格请联系我们18251882769（唐经理）或者联系网站客服。
