最新上架
更多- 爱普生SG-8101CE可编程晶振的产品应用领域介绍 - Epson代理商
- 国巨SC1808JKNPOWBN100安规电容:技术参数、性能解析与应用选型指南
- 国巨CC1206JKNPOZBN272高压贴片电容选型资料/免费样品/最新报价
- 高性价比国产MOS管:NCE60P04Y新洁能P沟道MOSFET选型资料
- 国产新洁能MOSFET NCEP25N10AK:高频开关和同步整流的理想选择
- 国巨630V高压车规电容器AC1206JKNPOZBN103:车载电子系统的理想选择
- 新洁能高性能功率MOS管NCEP60T12AK,高频高效、性能卓越
- Yageo (国巨)高压贴片电容CC1206JKNPOZBN332中文资料/样品申请
- 超级沟槽功率MOSFET:NCEP3065QU新洁能Mos管中文资料/样品申请/现货价格
- 国巨高压系列贴片电容MLCC:全面的高压产品组合
国巨君耀SJD12A51L01 ESD防静电管规格参数/免费样品/最新报价
静电放电(ESD)对电子产品造成的破坏和损伤不容忽视,其可能导致器件严重损坏或功能丧失(突发性损伤),也可能导致器件部分受损但功能未完全丧失(潜在性损伤)。因此,在电子设备的设计和制造过程中,必须采取有效的静电防护措施,以确保产品的可靠性和稳定性。
君耀SJD12A51L01是国巨ESD防静电管SJD12A(C)XXL01系列一款热销型号,旨在保护电压敏感组件免受高电压、高能量瞬变的影响。其符合IEC61000-4-2标准,接触放电等级为30kV,空气放电等级为30kV。国巨君耀SJD12A51L01 ESD防静电管具有出色的钳制能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。由于其小尺寸,它非常适合用于手机、便携式设备、商用机器、电源以及许多其他工业/消费者应用。

SJD12A51L01主要参数:
- 击穿电压 (VBR):56.7V
- 钳位电压 (VC):82.4V
- 反向截止电压 (VRWM):51V
- 峰值脉冲电流 (IPP):2.5A
- 峰值脉冲功率 (PPP):1000W
- 封装类型:SOD-123S
- 存储和工作温度:-55°C to 150°C
SJD12A51L01主要应用:
- 个人数字助理(PDA)
- 手机和配件
- 便携式设备和仪器
- 手持设备和笔记本电脑
- 数码相机

SJD12A51L01使用注意事项:
在实际应用中,需要注意选型的适用电压范围和应用环境,以确保SJD12A51L01能够发挥最佳性能。在电路设计时,建议在数据手册中查看具体的电气特性和应用电路设计参考以获得最佳的保护效果。
SJD12A51L01作为一种重要的ESD保护器件,在电子设备中发挥着不可或缺的作用。通过选择合适的供应商和产品型号,并采取相应的静电防护措施,可以有效地保护电子设备免受静电放电的损害。南山电子是国巨君耀原厂授权代理商,仓库现货超过200k,可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务,欢迎咨询选购SDT23C712L02静电ESD保护器件,如需该产品详细规格书请咨询南山电子官方网站在线客服。