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国产新洁能MOSFET NCEP25N10AK:高频开关和同步整流的理想选择
随着电子设备对高效能、高功率密度的需求日益增长,功率半导体器件的性能优化成为技术突破的关键。国产品牌新洁能推出的N沟道SGT-II系列功率MOSFET NCEP25N10AK,凭借其超低导通电阻(RDS(on))、超低栅极电荷(Qg)以及高频开关特性,成为高频开关和同步整流领域的理想选择。
NCEP25N10AK主要参数:
- 漏源电压(Vds):100V
- 导通电阻(RDS(on)):21mΩ @ VGS=10V;26mΩ @ VGS=4.5V
- 连续漏极电流(Id):35A
- 脉冲漏极电流(IDM):140A
- 功率(Pd):105W
- 工作温度范围:-55℃~+175℃
- 封装形式:TO-252-2L
NCEP25N10AK性能特点:
- 超低导通损耗:作为 SGT-II系列功率MOSFET产品之一,NCEP25N10AK具有超低的导通电阻(Ron,sp),相比于新洁能上一代SGT-I系列产品,导通电阻降低了20%,结合更低的FOM值,提升系统效率。
- 高频开关性能: 极低的栅极电荷(Qg)和优化的寄生电容设计,使开关速度更快、损耗更低。
- 高可靠性:采用先进的Super Trench II技术,具备良好的抗冲击能力和短路耐受能力。
- 紧凑的封装设计:TO-252-2L封装尺寸小,散热性能好,能够在较小的体积内提供较高的功率。
NCEP25N10AK应用场景:
- 同步整流:在AC/DC适配器、服务器电源中替代传统二极管,减少死区电压损耗,提升转换效率。
- 高频开关电源:用于开关电源(SMPS)、DC/DC转换器,通过快速开关降低磁元件体积,实现高功率密度设计。
- 电机驱动与电池管理:驱动直流电机或锂电池保护电路,利用低导通电阻减少发热,延长电池寿命,并支持大电流快速关断以应对短路风险。
新洁能NCEP25N10AK MOSFET通过SGT-II技术的革新,在高频开关效率、系统可靠性及设计灵活性上实现了显著突破。其核心优势在于低损耗、高频率响应与多场景适配能力,尤其适合对能效和空间要求严苛的同步整流、电机控制及电源管理应用。对于工程师而言,该MOSFET不仅能够简化设计复杂度,更能为终端产品赋予更高的市场竞争力。
南山电子是新洁能公司授权代理商,欢迎咨询选购NCEP25N10AK,了解产品最新价格及库存请联系我们18251882769(唐经理)或者联系网站客服。