最新上架
更多- 长晶基准电源CJ431系列电压基准芯片特点和应用领域
- 长晶CJ78MXX与CJ78MXXE系列线性稳压器可支持最大负载电流0.5A
- 适用于精密电路的风华1206薄膜电阻：TE06H系列薄膜电阻特性解析
- 长晶汽车数字晶体管AD-DTA、AD-DTC、AD-DTD三大系列产品优势和应用解析
- 长晶双极型通用类比较器LM393与LM339深度解析
- 长晶科技：全链布局3500+车规产品，深度赋能智能网联汽车多元场景
- 长晶科技车规级功率TVS二极管阵列守护汽车电子安全
- 长晶功率器件IGBT模块PIM系列产品技术解析
- 长晶汽车级开关二极管AD-1N等系列为现代汽车电子系统注入核心动力
- 抗硫化电阻选型漫谈：国巨AF系列与几个常见系列的横向对比
高性价比国产MOS管：NCE60P04Y新洁能P沟道MOSFET选型资料
NCE60P04Y是一款国产P沟道MOSFET，由无锡新洁能公司研发生产，专为低中功率开关电路设计。该MOS管采用先进的沟槽技术，具备高输入阻抗、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效电源管理和信号控制的场景。作为P沟道MOSFET，可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，对于需要优化系统能效和简化驱动电路的设计，NCE60P04Y提供了高性价比的国产化解决方案。
NCE60P04Y主要参数：
- 漏源电压（Vds）：-60V
- 导通电阻（RDS（on））：<120mΩ @ VGS=-10V；<170mΩ @ VGS=-4.5V
- 连续漏极电流（Id）：-4A
- 脉冲漏极电流（IDM）：-16A
- 功率（Pd）：1.5W
- 工作温度范围：-55℃~+150℃
NCE60P04Y性能优势：
- 低导通损耗：得益于高密度单元设计，RDS(on)低至120mΩ，显著减少导通状态下的能量损耗，提升系统效率。
- 快速开关响应：新洁能通过优化栅极结构，实现了快速的开关速度，能够在短时间内完成导通和截止状态的切换。
- 高输入阻抗：P沟道MOSFET的栅极输入阻抗极高，通常在兆欧级别。这意味着几乎不消耗栅极驱动电流，从而减少了驱动电路的功耗。
- 小型封装与散热优化：采用SOT-23-3L封装，体积小、重量轻，可提供良好的散热性能，支持持续高负载运行。
NCE60P04Y应用场景：
- 负载开关与电源管理：用于智能设备、消费电子的电源轨切换，通过低功耗特性延长电池寿命。
- PWM控制与电机驱动：配合脉宽调制（PWM）技术，驱动小型电机或LED照明系统，实现精准调速或调光。
- 低功率DC-DC转换器：在低压转换电路中作为开关器件，提升转换效率并简化电路设计。
NCE60P04Y采购信息：
- 封装：SOT-23-3L
- 包装方式：Ø180mm编带包装
- 最小包装量：3k/盘
南山电子是新洁能公司授权代理商，欢迎咨询选购NCE60P04Y。如需产品详细的规格书，请联系网站客服。
