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超级沟槽功率MOSFET:NCEP3065QU新洁能Mos管中文资料/样品申请/现货价格
NCEP3065QU是由新洁能(NCE)生产的高性能N沟道超级沟槽(Super Trench)功率MOSFET,采用先进的超沟槽技术,优化了高频开关性能,能够有效降低导通和开关损耗。它适用于高频开关和同步整流等应用,广泛应用于电源管理、电机驱动、通信等领域。以下是超级沟槽功率MOSFET:NCEP3065QU新洁能Mos管中文资料:
NCEP3065QU主要参数:
- 漏源电压(VDS):30V
- 连续漏极电流(ID):65A
- 脉冲漏极电流(IDM):260A
- 导通电阻(RDS(ON)):1.9mΩ @ VGS=10V;3.0mΩ @ VGS=4.5V
- 栅源电压(VGS):±20V
- 最大功耗(PD):550W
- 单脉冲雪崩能量(EAS):500mJ
- 工作温度范围:-55℃至150℃
NCEP3065QU性能特点:
- 低导通损耗:通过超级沟槽(Super Trench)技术优化结构,显著降低导通电阻(RDS(on)),减少能量损耗。
- 高频开关性能:低栅极电荷(Qg)和快速开关速度,适合高频PWM控制或同步整流应用。
- 高可靠性: 耐高温和抗冲击能力强,适用于工业与汽车电子等严苛环境。
- 优异的封装:采用DFN3.3X3.3-8L封装,尺寸仅为3mm x mm毫米,非常适合用于小型电子设备中,该封装还具有较好的热性能,可以帮助器件有效地散热。
- 100% UIS TESTED
- 100% ΔVds TESTED
NCEP3065QU应用场景:
- 电源管理:用于同步整流(如开关电源、快充设备),提升转换效率。
- 电机驱动:驱动直流电机或步进电机,支持高电流负载和快速响应(如电动工具、工业自动化)。
- 电池保护系统:在电池充放电管理电路中作为高端开关,简化驱动设计并降低功耗。
- 新能源与汽车电子:适用于车载逆变器、BMS(电池管理系统)及DC-DC转换器,满足高可靠性和温度稳定性需求。
NCEP3065QU采购信息:
- 封装:DFN3.3X3.3-8L
- 包装方式:Ø180mm编带包装
- 最小包装量:5k/盘
南山电子是新洁能公司授权代理商,欢迎咨询选购NCEP3065QU MOS管。如需产品详细的规格书,请联系网站客服。