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国产MOS管：长晶科技2N7002与2N7002K MOSFET参数对比及选型建议

发布时间：2025-04-08 品牌：长晶(JSCJ) 浏览量：963

2N7002与2N7002K均为国产知名品牌长晶科技生产的N通道MOSFET，采用SOT-23封装形式，具有体积小、散热性能良好等特点，适用于多种便携式设备及电源转换电路中。它们均具备高密度单元设计，能够实现较低的导通电阻（RDS(on)），同时具有较高的饱和电流能力与可靠性，可作为电压控制的小信号开关使用。以下是长晶科技2N7002与2N7002K MOSFET参数对比及选型建议：

一、2N7002与2N7002K参数对比

参数/型号	2N7002	2N7002K
最大漏源电压（VDS）	60 V	60 V
最大栅源电压（VGS）	±20 V	±20 V
导通电阻（RDS(on)）	2.5Ω@10V, 3Ω@5V	2.5Ω@10V, 3Ω@4.5V
连续漏极电流（ID）	115 mA	340 mA
最大功率耗散（PD）	0.225 W	0.35 W
温度范围（TJ）	-50~+150℃	-55~+150℃
阈值电压（VGS(th)）	1~2.5 V（典型1.6）	1~2.5 V（典型1.3）
输入电容（Ciss）	50 pF	40 pF
开关时间（td(on)/td(off)）	20ns/40ns	10ns/15ns
封装形式	SOT-23	SOT-23
ESD保护	未提及	支持

二、相同点

1．封装形式：均采用SOT-23封装，体积小，适合紧凑型设计。
2．最大漏源电压（VDS）：均为60V，适用于60V以内的电压等级。
3．导通电阻（RDS(on)）典型值：在VGS=10V、ID=500mA时，均为2.5Ω，导通损耗相近。

二、不同点

1．电流与功率能力
连续漏极电流：2N7002为115mA，2N7002K为340mA，后者电流能力提升近3倍。
最大功耗：2N7002K（0.35W）是2N7002（0.225W）的1.55倍，适合更高功率场景。
2．低压驱动效率
导通电阻@低栅压：2N7002需5V驱动实现3Ω，而2N7002K仅需4.5V，低压驱动效率更高。
3．动态性能
开关速度：2N7002K开启时间（10ns）和关闭时间（15ns）均显著优于2N7002（20ns/40ns），动态损耗更低。
输入电容：2N7002K输入电容（40pF）更低，进一步优化高频响应。
4．功能扩展
ESD保护：2N7002K支持ESD保护，抗静电能力更强，适合便携设备或工业环境。

三、选用建议

选2N7002：
适用场景：低电流（≤115mA）、低频开关（如传感器控制、信号切换）。
核心优势：低成本，满足基础开关需求。
选2N7002K：
适用场景：中高电流（≤340mA）、高频开关（如DC/DC转换器、电机驱动）。
核心优势：低压驱动高效（4.5V@3Ω）、快速开关（10ns/15ns）、ESD保护。

南山电子是长晶科技原厂授权代理商。作为长晶科技多年合作企业，南山电子会根据市场需求进行备货，在价格和售后上相比于其他供应商都具有一定的优势。欢迎咨询选购2N7002与2N7002K MOSFET，如需更多产品信息请咨询南山半导体官方网站在线客服。