最新上架
更多- 国巨RT0603DR系列薄膜精密电阻型号解析和推荐型号
- 在性能相当的情况下,中科芯CKS32L052K6T6比STM32L052K6T6具有更高的性价比
- 君耀2RM600L-8-TR高性能气体放电管守护电路安全
- 国巨薄膜精密电阻 RT0805BR 系列:高性能电路设计的理想选择
- STM32F407VGT6的国产替代:中科芯CKS32F407IGT6软硬兼容STM32F407VGT6
- 基美钽电容T494B、T494C、T494D和T494X系列:高性能低ESR解决方案
- 中科芯CKS32F072CBT6与STM32F072CBT6在性能参数、封装与尺寸等方面的比较
- 光颉 TFAN 系列薄膜排电阻:以先进薄膜技术赋能高精度电路设计
- 新洁能NCE3407高性能P沟道增强型功率MOSFET适用于PWM等多种应用场景
- 国巨PT0603FR-07、PT0603FR-7T、PT0603FR-7W、PT0603JR-07、PT0603JR-7T、PT0603JR-7W、PT0603-R-07系列厚膜电流感测贴片电阻介绍
基美钽电容T494B、T494C、T494D和T494X系列:高性能低ESR解决方案
基美(KEMET)作为全球知名的钽电容制造商,其T494系列钽电容凭借低等效串联电阻(ESR)、高可靠性和广泛的应用场景,成为现代电子设备中的理想选择。T494系列包括多个子系列(如T494B、T494C、T494D和T494X),每个系列都针对特定的应用需求进行了优化。基美钽电容T494B、T494C、T494D和T494X系列:高性能低ESR解决方案,今天,南山电子将详细介绍这些系列的特点、优势及应用场景。
T494系列概述
T494系列是基美推出的工业级低ESR片式钽电容,专为满足高功率密度和高性能需求而设计。该系列电容具有以下共同特点:
-低ESR:提供高效的滤波和去耦性能,减少电源噪声。
-宽温度范围:工作温度范围为-55°C至+125°C,适用于各种环境。
-高可靠性:长寿命设计,确保在高温环境下的稳定运行。
T494B系列
特点
-封装尺寸:提供紧凑的1411(3528公制)封装。
-容值范围:15µF±10%,适用于多种应用场景。
-低ESR:典型值为3Ω,确保高效性能。
-高寿命:在125°C下寿命可达2000小时。
应用场景
T494B系列适用于消费电子、工业系统和通信设备中的电源滤波、去耦和能量存储,尤其适合空间受限的设计。
钽电容
T494C系列
特点
-高密度设计:专为高密度、高性能需求设计,体积小巧。
-电压范围:提供从4.7V到50V的额定电压。
-稳定性:在高温和高电流条件下保持稳定性能。
应用场景
T494C系列广泛应用于航空航天、医疗设备和汽车电子等领域,满足高可靠性和高性能的要求。
T494D系列
特点
-封装尺寸:提供多种封装选项,如CASE-D-7343。
-容值范围:从0.1µF到470µF。
-低ESR:确保在高频应用中的高效滤波。
应用场景
T494D系列适用于工业控制、通信基站和消费电子设备中的电源管理模块,能够有效减少纹波和噪声。
T494X系列
特点
-高频优化:专为高频应用设计,具有极低的高频损耗。
-高性能:适用于高速数字电路和RF模块。
-稳定性:确保在高频条件下的信号传输稳定性和效率。
应用场景
T494X系列广泛应用于高速信号处理系统、无线通信设备和高频开关电源中。
部分基美T494系列钽电容推荐
494B106K010AT、T494B107M006AT、T494C226M020AT、T494D477M006AT、T494X106K050AT、T494X226M035AT。
基美T494系列钽电容凭借其低ESR、高可靠性和宽温度范围,成为电源管理、工业控制、通信设备和高频应用中的理想选择。无论是T494B的紧凑设计、T494C的高可靠性,还是T494D的多功能性和T494X的高频优化,这些系列都能满足不同应用场景的需求。选择基美T494系列,就是选择卓越的性能和可靠的技术支持。