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新洁能NCE3407高性能P沟道增强型功率MOSFET适用于PWM等多种应用场景
NCE3407是由无锡新洁能NCE功率有限公司生产的一款P沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的沟槽技术,能够提供出色的导通电阻(RDS(ON)),并具备高功率和电流处理能力,适用于多种应用场景,如PWM应用、负载开关和功率管理等,即新洁能NCE3407高性能P沟道增强型功率MOSFET适用于PWM等多种应用场景。
基本特性
- 电气参数:
- 漏源电压(VDS):-30V
- 连续漏极电流(ID):-4.6A
- 脉冲漏极电流(IDM):-20A
- 导通电阻(RDS(ON)):
- 在VGS=-10V时,RDS(ON)小于65mΩ
- 在VGS=-4.5V时,RDS(ON)小于95mΩ
- 封装形式:采用SOT-23封装,这种封装形式结构紧凑,适合表面贴装,能够满足高密度、小型化应用的需求,同时也有利于良好的散热性能。
- 环保特性:NCE3407是一款无铅产品,符合环保要求,适用于对环保有严格要求的应用场景。
应用领域
NCE3407适用于多种应用场景,包括但不限于:
- PWM应用:在脉宽调制(PWM)电路中,NCE3407能够实现高效的功率转换和控制。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频PWM应用中表现出色,能够有效减少开关损耗,提高电路效率。
- 负载开关:在电源管理系统中,NCE3407可以用作负载开关,快速、准确地控制电源与负载之间的连接和断开,实现电源的高效管理和分配。
- 功率管理:在各种电子设备中,NCE3407可用于功率管理电路,实现电源的开关控制、电压调节等功能,提高设备的能效和可靠性。
电气特性与动态性能
- 导通特性:
- 在VGS=-10V、ID=-4.6A的条件下,导通电阻(RDS(ON))的典型值为48mΩ,最大值为65mΩ。
- 在VGS=-4.5V、ID=-4A时,RDS(ON)的典型值为60mΩ,最大值为95mΩ。
- 动态特性:
- 输入电容(Clss):650pF
- 输出电容(Coss):105pF
- 反向传输电容(Crss):65pF
- 开关特性:
- 开通延迟时间(td(on)):8.5ns
- 开通上升时间(tr):4.5ns
- 关断延迟时间(td(off)):26ns
- 关断下降时间(tf):12.5ns
- 总栅极电荷(Qg):12.5nC
- 栅极源极电荷(Qgs):2.8nC
- 栅极漏极电荷(Qgd):2.7nC
安全与可靠性
- 雪崩能力:虽然NCE3407的规格书中没有明确提到雪崩能量(EAS),但其具有较高的漏源电压(VDS)和漏极电流(ID)能力,能够在一定程度上承受过载和异常情况,增强了器件在复杂工作环境下的可靠性。
- 测试与认证:该产品经过了严格的测试,确保了其在生产过程中的质量和一致性,为用户提供了可靠的保障。
封装信息与注意事项
- 封装尺寸:NCE3407采用SOT-23封装,其封装尺寸为:
- A:1.25mm
- B:1.25mm
- C:0.60mm
- D:2.50mm
- E:1.25mm
- L:0.80mm
- 使用注意事项:虽然NCE3407具有高性能和可靠性,但在使用时仍需注意其最大额定值和工作条件范围,避免超过规格参数导致设备损坏。此外,用户在将其应用于特定产品或设备时,应进行充分的评估和测试,以确保其性能和功能符合实际需求。
综上所述,NCE3407凭借其低导通电阻、快速开关特性和紧凑的封装形式,能够满足PWM应用、负载开关和功率管理等多种应用的需求,是现代电子设备中理想的功率MOSFET选择。