新洁能NCE65TF130系列高性能N沟道功率MOSFET是电力电子领域的明星产品

在电力电子领域，随着技术的不断进步，对于功率器件的性能要求也在日益提高。无锡NCE Power Co., Ltd推出的NCE65TF130系列N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的性能和广泛的应用范围，成为了众多工程师和设计师的首选。可以说，新洁能NCE65TF130系列高性能N沟道功率MOSFET是电力电子领域的明星产品。

NCE65TF130系列采用先进的沟槽栅技术设计，旨在为各种电力应用提供卓越的性能。该系列器件具有极低的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，能够显著降低开关损耗，提高系统效率。其优化的体二极管反向恢复性能，使其在高频开关应用中表现出色，同时，超小的封装尺寸也满足了现代电子设备对紧凑设计的需求。此外，该系列MOSFET还通过了100%雪崩测试，确保了在极端条件下的可靠性，并且符合ROHS环保标准。

技术规格

（一）基本参数

- 漏源电压（VDS）：650V，能够承受高电压，适用于多种高压应用场景。

- 导通电阻（RDS(ON)）：典型值为120mΩ，在同类产品中处于领先水平，有效降低了导通损耗。

- 连续漏极电流（ID）：在25℃时为28A，即使在100℃的高温环境下，也能维持18A的电流，展现了出色的热稳定性。

- 脉冲漏极电流（IDM）：高达112A，能够应对瞬间大电流冲击，增强了器件的鲁棒性。

（二）电气特性

- 栅极阈值电压（VGS(th)）：范围在2.6V至4.3V之间，确保了稳定的开关控制。

- 输入电容（Clss）：2070pF，较低的输入电容有助于减少开关过程中的能量损耗。

- 输出电容（Coss）：120pF，有效降低了高频开关时的寄生效应。

- 总栅极电荷（Qg）：37.5nC，低栅极电荷使得驱动电路设计更加简单，降低了驱动功耗。

（三）动态特性

- 开通延迟时间（td(on)）：仅为14ns，快速的开通响应提高了系统的动态性能。

- 开通上升时间（tr）：12ns，确保了开关过程的平滑过渡。

- 关断延迟时间（td(off)）：65ns，较长的关断延迟时间有助于避免误导通，提高系统的可靠性。

- 关断下降时间（tf）：11ns，快速的关断过程减少了开关损耗。

应用领域

NCE65TF130系列广泛应用于多种电力转换和控制场景，包括但不限于：

- 功率因数校正（PFC）：在电源系统中，PFC电路用于提高功率因数，减少谐波失真。该系列MOSFET的低导通电阻和快速开关特性使其成为PFC电路的理想选择，能够有效提高电源的效率和稳定性。

- 开关模式电源（SMPS）：SMPS以其高效率、小体积而广泛应用于各种电子设备。NCE65TF130系列能够满足SMPS对高频开关器件的需求，提供稳定的电源输出。

- 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，MOSFET用于逆变器和电池充电器等关键部件。该系列器件的高可靠性和低损耗特性确保了UPS在长时间运行中的稳定性和高效性。

- LLC半桥电路：LLC半桥电路是一种高效的DC-DC转换拓扑结构。NCE65TF130系列的快速开关特性和低寄生电容使其在LLC半桥电路中表现出色，能够实现高效率的能量转换。

封装信息

NCE65TF130系列提供多种封装形式，以满足不同客户的需求：

- TO-263封装：尺寸紧凑，散热性能良好，适用于对空间要求较高的应用。

- TO-220封装：经典的封装形式，具有良好的机械稳定性和散热性能，广泛应用于各种电力电子设备。

- TO-220F封装：与TO-220类似，但具有更小的尺寸和更好的散热性能，适合高密度安装的场合。

安全与可靠性

NCE65TF130系列在设计和制造过程中严格遵循国际标准，确保了产品的安全性和可靠性。100%的雪崩测试保证了器件在过压和过流条件下的生存能力，使其能够在恶劣的工作环境中稳定运行。此外，该系列产品还符合ROHS环保标准，体现了NCE Power对环境保护的承诺。

NCE65TF130系列N沟道功率MOSFET凭借其卓越的性能、广泛的应用范围和可靠的品质，成为了电力电子领域的一款明星产品。无论是在传统的电源应用中，还是在新兴的高效能转换技术中，NCE65TF130系列都能够提供出色的性能表现，满足工程师和设计师对高性能功率器件的需求。