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新洁能NCE65T900I和NCE65T900K能够满足多种高电压、大电流的应用场景需求
NCE65T900I和NCE65T900K是无锡新洁能推出的两款N沟道MOSFET,它们采用了先进的沟槽栅超结技术,具备低导通电阻、低栅极电荷等优良特性,广泛应用于AC-DC开关电源、功率因数校正(PFC)和工业电源等领域。
新洁能NCE65T900I和NCE65T900K系列器件通过先进工艺实现了卓越的导通电阻(RDS(ON))与低栅极电荷的完美结合,其650V的漏源电压(VDS)和5A的连续漏极电流(ID)使其能够满足多种高电压、大电流的应用场景需求。同时,它们还具备小尺寸封装、100%雪崩测试以及符合ROHS标准等优势,为用户提供了高性能、高可靠性的功率开关解决方案。
电气特性
- 高耐压与大电流:漏源电压(VDS)高达650V,能够承受较高的反向电压,确保在高电压应用中的稳定性和安全性。在25℃时,连续漏极电流(ID)可达5A,即使在100℃的高温环境下,也能维持3A的连续漏极电流,满足不同工作温度下的电流需求。
- 低导通电阻:在VGS=10V、ID=2.5A的条件下,导通电阻(RDS(ON))典型值仅为750mΩ,最大值为900mΩ。低导通电阻意味着在导通状态下,器件的功耗更低,从而提高电源转换效率,降低发热,延长设备使用寿命。
- 低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)在VDS=480V、ID=5A、VGS=10V的条件下,典型值为10.5nC,最大值为15nC。低栅极电荷使得驱动电路的设计更加简单,驱动功耗更低,有助于提高开关频率,实现更紧凑的电源设计。
- 快速开关特性:具有较短的开关时间,如开通延迟时间(td(on))为7nS,开通上升时间(tr)为3nS,关断延迟时间(td(off))在52-62nS之间,关断下降时间(tf)在10-16nS之间。快速的开关速度能够有效降低开关损耗,提高电源的转换效率,同时减少电磁干扰(EMI)。
- 良好的反向恢复特性:源-漏二极管的反向恢复时间(trr)为210nS,反向恢复电荷(Qrr)为0.66uC,峰值反向恢复电流(Irrm)为6.5A。这些特性使得在高频开关应用中,器件能够快速从导通状态切换到截止状态,减少能量损耗和电压尖峰。
热特性
- 低热阻:热阻(RthJC)从结到外壳的最大值为2.72°C/W,热阻(RthJA)从结到环境的最大值为75°C/W。低热阻意味着在工作过程中,器件能够更有效地将热量散发到周围环境中,从而降低结温,提高器件的可靠性和稳定性,延长使用寿命。
封装信息
- TO-251封装:适用于NCE65T900I型号,具有较小的尺寸和良好的散热性能,适合在紧凑的空间内实现高性能的功率转换。
- TO-252封装:适用于NCE65T900K型号,同样具备小尺寸和高散热效率的特点,为用户提供了更多的选择,以满足不同的应用需求。
应用领域
- 功率因数校正(PFC):在AC-DC电源转换过程中,用于提高功率因数,减少谐波失真,提高电源的效率和稳定性,满足日益严格的能效标准。
- 开关模式电源(SMPS):作为开关电源的核心元件,实现高效的电能转换,广泛应用于各种电子设备的电源模块中,如计算机电源、通信电源、工业电源等。
- 不间断电源(UPS):在UPS系统中,用于实现电池充电和逆变输出等功能,确保在市电中断时能够快速切换到电池供电,为关键设备提供稳定的电力支持。
NCE65T900I和NCE65T900K凭借其卓越的电气性能、低热阻、小尺寸封装以及良好的安全与合规性,成为了高电压、大电流功率转换应用的理想选择。它们能够有效提高电源转换效率,降低功耗和发热,为各种电子设备提供稳定可靠的电力支持,助力电源技术的发展和创新。