大普双同轴隔离器DP0469S、DP0470S、DP0531S、DP0532S--电信通讯中的关键器件

大普通信作为国内领先的射频器件供应商，其双同轴隔离器产品线在行业内享有盛誉。这类器件凭借创新的设计和精湛的工艺，在5G通信、卫星导航、雷达系统等高端应用领域展现出卓越性能。大普双同轴隔离器DP0469S、DP0470S、DP0531S、DP0532S，更是成为了电信通讯中的关键器件。

大普通信双同轴隔离器的核心技术突破体现在其独特的磁路设计上。工程师团队通过优化铁氧体材料配方和磁场分布，成功实现了更宽频带内的高隔离度。典型产品在2-18GHz频段内可提供超过30dB的隔离性能，同时保持低于0.4dB的插入损耗，这一指标已达到国际先进水平。针对不同应用场景，还开发了系列化产品。紧凑型封装适合空间受限的机载设备，其直径可控制在16mm以内；高功率版本采用液体冷却技术，连续波处理能力达500W以上，满足雷达发射机的苛刻要求。特别值得一提的是其军品级产品，通过严格的GJB150环境试验，在振动、冲击等恶劣条件下仍能保持性能稳定。

DP0469S & DP0470S：高性能宽带隔离器

频率范围：2-18 GHz

隔离度（Isolation）：DP0469S≥30 dB（典型值）

                                  DP0470S≥28 dB（典型值）

插入损耗（Insertion Loss）：DP0469S≤0.4 dB

                                             DP0470S≤0.35 dB

驻波比（VSWR）：DP0469S≤1.2:1（全频段）

                              DP0470S≤1.15:1（优化频段）

功率容量：连续波（CW）5W

峰值功率（Pulse）：50W（1%占空比）

接口类型：SMA（Female）

工作温度：-40℃ ~ +85℃

尺寸：Φ16mm × 30mm（直径×长度）

相比DP0469S，DP0470S驻波比更低，适合高精度测试系统

DP0531S & DP0532S：高功率军用级隔离器

DP0531S（中高功率型，2-8GHz）

频率范围：2-8 GHz

隔离度（Isolation）：≥25 dB

插入损耗（Insertion Loss）：≤0.3 dB

驻波比（VSWR）：≤1.25:1

功率容量：连续波（CW）50W

峰值功率（Pulse）：500W（1%占空比）

接口类型：SMA或N型（可选）

工作温度：-55℃ ~ +85℃（军品级）

尺寸：Φ20mm × 35mm

特点：高功率设计，适用于雷达、电子战等场景。

DP0532S（高功率型，8-18GHz）

频率范围：8-18 GHz

隔离度（Isolation）：≥20 dB

插入损耗（Insertion Loss）：≤0.5 dB

驻波比（VSWR）：≤1.3:1

功率容量：连续波（CW）30W

峰值功率（Pulse）：300W（1%占空比）

接口类型：SMA（Female）

工作温度：-55℃ ~ +85℃（军品级）

尺寸：Φ18mm × 32mm

特点：高频段高功率支持，适用于Ka波段卫星通信、毫米波雷达。

在结构工艺方面，大普通信采用了精密数控加工的一体化金属腔体，配合特殊的热处理工艺，确保了器件在-55℃至+85℃宽温范围内的稳定性。其专利设计的渐变阻抗转换结构有效降低了驻波比，实测VSWR在大多数频点优于1.2:1，这对于高灵敏度接收系统尤为重要。在实际应用中，这些隔离器表现出色。某型号在5G基站功放保护电路中，成功将反射信号衰减35dB以上，显著提高了系统可靠性；在卫星地面站使用时，其优异的温度稳定性使系统在昼夜温差大的环境下仍保持稳定工作。

大普通信坚持自主创新，其双同轴隔离器已实现关键材料国产化，打破了国外厂商在高端市场的垄断。未来，随着6G研发的推进，公司正在开发毫米波频段的新一代产品，预计将推动国内射频器件技术迈上新台阶。