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大普双同轴隔离器DP0469S、DP0470S、DP0531S、DP0532S--电信通讯中的关键器件
大普通信作为国内领先的射频器件供应商,其双同轴隔离器产品线在行业内享有盛誉。这类器件凭借创新的设计和精湛的工艺,在5G通信、卫星导航、雷达系统等高端应用领域展现出卓越性能。大普双同轴隔离器DP0469S、DP0470S、DP0531S、DP0532S,更是成为了电信通讯中的关键器件。
大普通信双同轴隔离器的核心技术突破体现在其独特的磁路设计上。工程师团队通过优化铁氧体材料配方和磁场分布,成功实现了更宽频带内的高隔离度。典型产品在2-18GHz频段内可提供超过30dB的隔离性能,同时保持低于0.4dB的插入损耗,这一指标已达到国际先进水平。针对不同应用场景,还开发了系列化产品。紧凑型封装适合空间受限的机载设备,其直径可控制在16mm以内;高功率版本采用液体冷却技术,连续波处理能力达500W以上,满足雷达发射机的苛刻要求。特别值得一提的是其军品级产品,通过严格的GJB150环境试验,在振动、冲击等恶劣条件下仍能保持性能稳定。
DP0469S & DP0470S:高性能宽带隔离器
频率范围:2-18 GHz
隔离度(Isolation):DP0469S≥30 dB(典型值)
DP0470S≥28 dB(典型值)
插入损耗(Insertion Loss):DP0469S≤0.4 dB
DP0470S≤0.35 dB
驻波比(VSWR):DP0469S≤1.2:1(全频段)
DP0470S≤1.15:1(优化频段)
功率容量:连续波(CW)5W
峰值功率(Pulse):50W(1%占空比)
接口类型:SMA(Female)
工作温度:-40℃ ~ +85℃
尺寸:Φ16mm × 30mm(直径×长度)
相比DP0469S,DP0470S驻波比更低,适合高精度测试系统
DP0531S & DP0532S:高功率军用级隔离器
DP0531S(中高功率型,2-8GHz)
频率范围:2-8 GHz
隔离度(Isolation):≥25 dB
插入损耗(Insertion Loss):≤0.3 dB
驻波比(VSWR):≤1.25:1
功率容量:连续波(CW)50W
峰值功率(Pulse):500W(1%占空比)
接口类型:SMA或N型(可选)
工作温度:-55℃ ~ +85℃(军品级)
尺寸:Φ20mm × 35mm
特点:高功率设计,适用于雷达、电子战等场景。
DP0532S(高功率型,8-18GHz)
频率范围:8-18 GHz
隔离度(Isolation):≥20 dB
插入损耗(Insertion Loss):≤0.5 dB
驻波比(VSWR):≤1.3:1
功率容量:连续波(CW)30W
峰值功率(Pulse):300W(1%占空比)
接口类型:SMA(Female)
工作温度:-55℃ ~ +85℃(军品级)
尺寸:Φ18mm × 32mm
特点:高频段高功率支持,适用于Ka波段卫星通信、毫米波雷达。
在结构工艺方面,大普通信采用了精密数控加工的一体化金属腔体,配合特殊的热处理工艺,确保了器件在-55℃至+85℃宽温范围内的稳定性。其专利设计的渐变阻抗转换结构有效降低了驻波比,实测VSWR在大多数频点优于1.2:1,这对于高灵敏度接收系统尤为重要。在实际应用中,这些隔离器表现出色。某型号在5G基站功放保护电路中,成功将反射信号衰减35dB以上,显著提高了系统可靠性;在卫星地面站使用时,其优异的温度稳定性使系统在昼夜温差大的环境下仍保持稳定工作。
大普通信坚持自主创新,其双同轴隔离器已实现关键材料国产化,打破了国外厂商在高端市场的垄断。未来,随着6G研发的推进,公司正在开发毫米波频段的新一代产品,预计将推动国内射频器件技术迈上新台阶。