最新上架
更多- 国巨RT1206系列薄膜精密电阻的的共通规格与个性差异
- 新洁能NCE4963性能与应用优势：为车载充电器注入强大电能
- 光颉科技HVRC系列高压低VCR厚膜电阻性能与应用解析
- 国巨RT2010BK与RT2010CK系列精密薄膜电阻选型资料-YAGEO代理商
- 星海整流二极管EM513/EM516/EM520：助力风力发电系统高效运行的“能量卫士”
- 力芯微音效处理系列芯片：录音笔音质提升的秘密武器
- 君耀电子P6SMB-AT系列在高浪涌、高温、高可靠性需求的应用中具有明显优势
- 麦斯塔MST8011AI-78系列晶振性能参数全方面解析
- 德昌TO-220封装肖特基二极管MBR系列：智能电视“芯”伙伴
- 亿光ELSWF系列LED：用“光”守护，让安防监控无死角
新洁能 NCE30P12S：适用于 PWM 和负载开关的卓越功率器件
在现代电子设备中，功率 MOSFET 是实现高效功率转换和控制的关键元件。新洁能推出的增强型功率 MOSFET，凭借其优质性能，成为众多工程师的理想选择。今天就来了解下这款新洁能 NCE30P12S：适用于 PWM 和负载开关的卓越功率器件。
NCE30P12S 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷（Qg），同时支持低至 4.5V 的栅极电压操作。这使得该器件在高频开关应用中表现出色，特别适合 PWM 应用和负载开关。
高耐压与大电流处理能力
NCE30P12S 的漏源电压（VDS）高达 -30V，能够承受高电压冲击。连续漏极电流（ID）可达 -12A，满足高功率应用需求。这使得 NCE30P12S 能够在各种高功率场景中稳定运行，确保设备的可靠性和效率。
低导通电阻与低栅极电荷
在 VGS=-4.5V 时，RDS(ON) 小于 21mΩ；在 VGS=-10V 时，RDS(ON) 小于 13mΩ。低导通电阻显著降低了功耗，提高了系统的整体效率。同时，低栅极电荷（Qg）减少了开关损耗，确保了在高频应用中的快速响应。
高功率处理能力
NCE30P12S 支持高功率和大电流处理，适用于高功率应用。其高功率处理能力使其在 PWM 应用和负载开关中表现出色，能够满足各种高功率需求。
无铅封装与表面贴装
NCE30P12S 采用环保的无铅封装，符合现代电子设备的环保要求。SOP-8 封装形式适合表面贴装工艺，提高了生产效率，同时减少了焊接过程中的复杂性。
应用场景
NCE30P12S 广泛应用于 PWM 应用和负载开关。在 PWM 应用中，NCE30P12S 提供高效的功率转换和控制，确保信号的快速、准确传输。在负载开关应用中，NCE30P12S 提供稳定的电流控制，确保负载的可靠切换。
技术参数
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -30 | - | - | V |
| 零栅极电压漏极电流 | IDSS | VDS=-30V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 栅极-体漏漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -2.2 | -1.5 | -1 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-10A | 11.5 | 13 | - | mΩ |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-7A | 15 | 21 | - | mΩ |
| 前向跨导 | gFS | VDS=-10V, ID=-10A | - | 20 | - | S |
| 输入电容 | Clss | VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 2419 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 318 | - | - | pF |
| 反向转移电容 | Crss | VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 262 | - | pF |
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=-15V, ID=-10A, VGS=-10V, RGEN=1Ω | - | 9 | - | nS |
| 开启上升时间 | tr | - | - | 8 | - | nS |
| 关闭延迟时间 | td(off) | - | - | 28 | - | nS |
| 关闭下降时间 | tf | - | - | 10 | - | nS |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=-15V, ID=-10A, VGS=-10V | - | 44.4 | - | nC |
| 栅极-源极电荷 | Qgs | - | - | 4.6 | - | nC |
| 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | - | 10 | - | nC |
| 整流器正向电流 | IS | VGS=0V, IS=-12A | - | - | -12 | A |
| 整流器正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=-12A | - | -1.2 | - | V |
性能优势
NCE30P12S 的性能优势使其在各种应用场景中都能提供卓越的性能。其低导通电阻和低栅极电荷确保了在高频应用中的快速响应，而高功率处理能力则使其能够满足各种高功率需求。
新洁能 NCE30P12S P-Channel 增强型功率 MOSFET 凭借其卓越的性能和可靠性，成为 PWM 应用和负载开关的理想选择。无论是在 PWM 控制还是负载切换中，NCE30P12S 都能提供高效、稳定和可靠的性能。选择新洁能 NCE30P12S，开启高效、稳定和可靠的功率管理新时代。
