最新上架
更多- 国巨AC2010系列车规电阻在极端温度下表现如何?
- 风华高科TF06E系列高精度薄膜电阻:精密电路中的稳定性解决方案
- 国巨PU2512系列车规电流传感电阻:破解汽车电子电流监测难题的利器
- 光颉科技TR30系列TO-220封装功率电阻器在开关电源中的作用
- 力芯微车规类信号链IC在极端湿度环境下的稳定性策略
- 德昌双极型三极管SOT-523和SOT-883两种封装在大功率输出时的散热解决方案
- 国巨防硫化电阻AF162-JR-07系列把硫腐蚀挡在灯珠失效之前
- UTC友顺科技U74LVC1G125高性能3态总线缓冲器的技术解析
- 麦斯塔8011系列晶振启动时间极短的潜在问题及优化策略
- 亿光车用LED高可靠与智能控制的技术价值
新洁能 NCE30P12S:适用于 PWM 和负载开关的卓越功率器件
在现代电子设备中,功率 MOSFET 是实现高效功率转换和控制的关键元件。新洁能推出的增强型功率 MOSFET,凭借其优质性能,成为众多工程师的理想选择。今天就来了解下这款新洁能 NCE30P12S:适用于 PWM 和负载开关的卓越功率器件。
NCE30P12S 采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg),同时支持低至 4.5V 的栅极电压操作。这使得该器件在高频开关应用中表现出色,特别适合 PWM 应用和负载开关。
高耐压与大电流处理能力
NCE30P12S 的漏源电压(VDS)高达 -30V,能够承受高电压冲击。连续漏极电流(ID)可达 -12A,满足高功率应用需求。这使得 NCE30P12S 能够在各种高功率场景中稳定运行,确保设备的可靠性和效率。
低导通电阻与低栅极电荷
在 VGS=-4.5V 时,RDS(ON) 小于 21mΩ;在 VGS=-10V 时,RDS(ON) 小于 13mΩ。低导通电阻显著降低了功耗,提高了系统的整体效率。同时,低栅极电荷(Qg)减少了开关损耗,确保了在高频应用中的快速响应。
高功率处理能力
NCE30P12S 支持高功率和大电流处理,适用于高功率应用。其高功率处理能力使其在 PWM 应用和负载开关中表现出色,能够满足各种高功率需求。
无铅封装与表面贴装
NCE30P12S 采用环保的无铅封装,符合现代电子设备的环保要求。SOP-8 封装形式适合表面贴装工艺,提高了生产效率,同时减少了焊接过程中的复杂性。
应用场景
NCE30P12S 广泛应用于 PWM 应用和负载开关。在 PWM 应用中,NCE30P12S 提供高效的功率转换和控制,确保信号的快速、准确传输。在负载开关应用中,NCE30P12S 提供稳定的电流控制,确保负载的可靠切换。
技术参数
参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -30 | - | - | V |
零栅极电压漏极电流 | IDSS | VDS=-30V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
栅极-体漏漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -2.2 | -1.5 | -1 | V |
漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-10A | 11.5 | 13 | - | mΩ |
漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-7A | 15 | 21 | - | mΩ |
前向跨导 | gFS | VDS=-10V, ID=-10A | - | 20 | - | S |
输入电容 | Clss | VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 2419 | - | pF |
输出电容 | Coss | - | 318 | - | - | pF |
反向转移电容 | Crss | VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 262 | - | pF |
开启延迟时间 | td(on) | VDD=-15V, ID=-10A, VGS=-10V, RGEN=1Ω | - | 9 | - | nS |
开启上升时间 | tr | - | - | 8 | - | nS |
关闭延迟时间 | td(off) | - | - | 28 | - | nS |
关闭下降时间 | tf | - | - | 10 | - | nS |
总栅极电荷 | Qg | VDS=-15V, ID=-10A, VGS=-10V | - | 44.4 | - | nC |
栅极-源极电荷 | Qgs | - | - | 4.6 | - | nC |
栅极-漏极电荷 | Qgd | - | - | 10 | - | nC |
整流器正向电流 | IS | VGS=0V, IS=-12A | - | - | -12 | A |
整流器正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=-12A | - | -1.2 | - | V |
性能优势
NCE30P12S 的性能优势使其在各种应用场景中都能提供卓越的性能。其低导通电阻和低栅极电荷确保了在高频应用中的快速响应,而高功率处理能力则使其能够满足各种高功率需求。
新洁能 NCE30P12S P-Channel 增强型功率 MOSFET 凭借其卓越的性能和可靠性,成为 PWM 应用和负载开关的理想选择。无论是在 PWM 控制还是负载切换中,NCE30P12S 都能提供高效、稳定和可靠的性能。选择新洁能 NCE30P12S,开启高效、稳定和可靠的功率管理新时代。