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新洁能NCE01P18K：高效能功率MOSFET的介绍

发布时间：2025-06-19 品牌：新洁能(NCE) 浏览量：13

在当今电子技术飞速发展的时代，功率MOSFET作为核心电子元件之一，广泛应用于各类电源管理、电机驱动及照明控制等领域。新洁能作为国内领先的半导体企业，凭借其深厚的技术积累和创新能力，推出了NCE01P18K这款高性能的P沟道功率MOSFET产品，为电子设备的高效运行提供了强劲动力。以下是对新洁能NCE01P18K：高效能功率MOSFET的介绍。

NCE01P18K是新洁能精心设计的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-252-2封装形式，具有耐压100V、最大漏极电流18A的优异性能。其导通电阻低至70mΩ，在4.5V和2.5V的低电压条件下，导通电阻分别为20mΩ和20mΩ，这使得它在低电压应用场景中能够显著降低功耗，提高系统效率。

产品优势

低导通电阻与高效率

NCE01P18K的低导通电阻特性，使其在电流通过时产生的热量大幅减少，从而提高了整体电路的效率。无论是在高负载还是低电压条件下，都能保持出色的性能，有效延长设备的使用寿命。

高耐压与大电流

100V的耐压能力和18A的最大漏极电流，使其能够适应各种复杂的工作环境，满足多种高功率、高电压的应用需求。无论是电源管理、电机驱动还是LED照明等领域，NCE01P18K都能稳定可靠地工作。

封装优势

TO-252-2（DPAK）封装形式不仅散热性能良好，而且体积小巧，能够有效节省PCB空间。这种封装方式便于安装和焊接，提高了生产效率，降低了制造成本。小巧的体积却有着出色的散热性能。这不仅节省了宝贵的PCB空间，还让工程师们在设计时更加灵活自如。无论是紧凑的手机充电器，还是需要高功率输出的工业电源，NCE01P18K都能完美适配，展现出它的全能本色。

技术参数

参数名称	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源电压	Vdss	Vgs = 0V, Id = -250μA	-100	-	-	V
零栅极电压漏极电流	Idss	Vds = -100V, Vgs = 0V	-	-	1	μA
栅源极漏电流	Igss	Vgs = ±20V, Vds = 0V	-	-	±20	μA
栅极阈值电压	Vgs(th)	Vds = Vgs, Id = -250μA	-1	-1.9	-3	V
导通电阻	Rds(on)	Vgs = -10V, Id = -16A	-	85	100	mΩ
导通电阻	Rds(on)	Vgs = -4.5V, Id = -16A	95	120	-	mΩ
输入电容	Ciss	-	-	3.81	-	nF
输出电容	Coss	-	-	129	-	pF
反向传输电容	Crss	Vds = -50V, Vgs = 0V, F = 1MHz	-	125	-	pF
栅极电荷	Qg	Vgs = -10V	-	70	-	nC
开通延迟时间	td(on)	-	-	16	-	ns
上升时间	tr	-	-	73	-	ns
关断延迟时间	td(off)	-	-	34	-	ns
下降时间	tf	Vdd = -50V, Id = -16A, Vgs = -10V	-	-	-	-

应用场景

电源管理

在各类开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中，NCE01P18K能够实现高效的功率转换。其低导通电阻和高耐压特性，使其在高频率、高功率的应用场景中表现出色，能够有效降低电源损耗，提高电源转换效率。

电机驱动

对于电机驱动电路，NCE01P18K的大电流和低导通电阻特性能够显著提升电机的启动速度和运行效率。同时，其高耐压能力能够有效保护电机免受电压波动的影响，确保电机的稳定运行。

LED照明

在LED照明领域，NCE01P18K可用于驱动电路，实现高效的电流控制。其低导通电阻能够降低发热，提高照明系统的可靠性，同时延长LED灯的使用寿命。

新洁能NCE01P18K凭借其低导通电阻、高耐压、大电流以及优越的封装性能，成为了功率MOSFET市场中的佼佼者。在电子产品的世界里，每一个元件都有它的使命。NCE01P18K的使命，就是为你的设备提供高效、可靠、节能的解决方案。它不仅仅是一个元件，它是你设计中的得力助手，是你产品性能提升的关键所在。选择NCE01P18K，就是选择卓越的性能和可靠的质量，助力您的电子产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。