最新上架
更多- 新洁能12-200V N沟道沟槽型场效应管(N-Channel Trench MOSFET)系列产品介绍
- 新洁能30-250V N沟道SGT-I系列功率MOSFET 产品介绍(第一代屏蔽栅沟槽NMOS管)
- 新洁能30-120V N沟道SGT-II系列功率MOSFET 产品介绍(第二代屏蔽栅沟槽NMOS管)
- 用于反向极性保护电路的MOSFET:新洁能NCE2333Y P沟道场效应Mos管
- 新洁能500-800V N沟道SJ-III系列功率MOSFET 产品介绍(第三代超结NMOS管)
- 新洁能600-650V N沟道第三代超结TF场效应管(N-Channel SJ-III TF MOSFET)系列产品介绍
- 新洁能N+P沟道互补式场效应管(Complementary MOSFET)系列产品介绍
- 新洁能N沟道和P沟道双芯场效应管(N and P-Channel Dual MOSFET)系列产品介绍
- 新洁能N沟道600-750V系列IGBT产品介绍/型号推荐/最新IGBT价格
- 新洁能N沟道功率MOSFET NCE4009S,满足充电器、适配器等需求
君耀KD系列MOV压敏电阻选择资料-免费样品-最新报价-国巨压敏电阻代理商
MOV压敏电阻的通流量仅次于GDT陶瓷气体放电管,响应速度为纳秒级,广泛应用于电源线,低频信号线的防雷保护。KD系列是国巨/君耀通用型MOV压敏电阻,与国巨旗下君耀品牌的KH高温压敏电阻、KK环氧树脂压敏电阻和TMOV三脚压敏电阻相比,尺寸更加多样化(Φ5mm~Φ53mm),直径为53mm的MOV压敏电阻单体在8/20us波形的单次通流量可达70kA,瞬态过电压快速响应时间小于25ns,18V~1600V额定电压可满足从低压到高压的各类应用需求。KD型通用MOV压敏电阻可用在-40~+105℃宽温范围稳定工作。和国巨君耀其它系列一样全部通过了UL、CSA、VDE安全认证。
规格书下载地址
尺寸 | 图片 | 击穿电压 | 耐电流量: | 规格书 |
---|---|---|---|---|
5mm | 18~750V | 0.1~0.8kA | ||
7mm | 18~820V | 0.25~1.75KA | ||
10mm | 18~1100V | 0.5~3.5KA | ||
14mm | 18~1800V | 1~6kA | ||
20mm | 18~1800V | 2~10kA | ||
25mm | 18~1800V | 4.5~15kA | ||
32mm | 200~1600V | 25kA | ||
40mm | 200~1600V | 40kA | ||
53mm | 200~1600V | 70kA |
压敏电阻选型注意事项:
1、压敏电压选取公式: 压敏电压选择时要考虑电源电压波动、压敏电阻电压精度、压敏电阻的老化系数等因素;压敏电压的选取可参考如下选型公式:
如110VAC输入MOV电压应选取如下:
2、最大峰值脉冲电流(Ipp):MOV是一种老化型的元器件,在实际应用中,需要考虑冲击次数的降额,多次冲击需要选取更高通流量的器件。
3、MOV压敏电阻是由氧化锌和其他金属氧化物采用材料混合及高温烧结的工艺制成的多晶半导体材料,其晶格结构决定了它在长期的浪涌冲击中容易老化。而GDT和SPG具有较大的绝缘阴抗,在AC输入端常和MOV串联来应用,以减缓MOV的老化。用于大功率电源保护时建议与陶瓷气体放电管(GDT)或玻璃气体放电管(SPG)串联使用,以减缓MOV的老化,延长MOV使用寿命。